ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
若要使用此器件進行設計,請使用表 10-1中列出的參數。
| 參數 | 值 |
|---|---|
| 輸入電壓 | 3V 至 5.5V |
| VCC 和 GND1 之間的去耦電容器 | 0.1 μF 至 10 μF |
| VISO 和 GND2 之間的去耦電容器 | 0.1 μF 至 10 μF |
流過 ISOW7841 器件 VCC 和 VISO 電源的電流很大,因此通常去耦電容器越大,器件的噪聲和紋波性能就越出色。盡管 10 μF 的電容器就足夠了,但強烈建議在 VCC 和 VISO 引腳與相應接地端之間使用更大的去耦電容器(例如 47 μF),以實現最佳性能。