ZHCSTR1A November 2023 – June 2025 ESD852 , ESD862
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 器件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | -36 | 36 | V | |||
| VBRF | 正向擊穿電壓(1)(2) | IIO = 10mA、IO 至 GND | 37.8 | 40 | 44.2 | V | |
| VBRR | 反向擊穿電壓(1)(2) | IIO = -10mA、IO 至 GND | -44.2 | -40 | -37.8 | V | |
| VCLAMP | 鉗位電壓(3) | IPP = 1A，tp = 8/20μs，IO 至 GND | ESD852 | 43 | 50 | V | |
| IPP = 4。A，tp = 8/20μs，IO 至 GND | 61 | 66 | V | ||||
| IPP = 1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | ESD862 | 47 | V | ||||
| IPP = 3.1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | 61 | V | |||||
| VCLAMP | 鉗位電壓(4) | IPP = 16A、TLP、IO 至 GND 或 GND 至 IO | ESD852 | 63 | V | ||
| ESD862 | 64 | V | |||||
| ILEAK | 漏電流 | VIO = ±36V、IO 至 GND | 5 | 50 | nA | ||
| RDYN | 動(dòng)態(tài)電阻(4) | IO 至 GND 和 GND 至 IO | ESD852 | 0.49 | Ω | ||
| ESD862 | 0.49 | Ω | |||||
| CL | 線路電容(1) | VIO = 0V，f = 1MHz，Vpp = 30mV | ESD852 | 2.8 | 3.5 | pF | |
| ESD862 | 2.6 | 2.9 | pF | ||||