ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 （VM，VCC） | ||||||
| IVM | VM 工作模式電流 | nSLEEP = 3.3V，IN1 = 0V，IN2 = 3.3V | 6 | 11 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式電流 | 睡眠模式，VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 27°C | 1 | 82 | nA | |
| IVCC | VCC 工作模式電流 | nSLEEP = 3.3V，IN1 = 0V，IN2 = 3.3V | 0.21 | 11 | mA | |
| IVCCQ | VCC 睡眠模式電流 | 睡眠模式，VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 27°C | 2.5 | nA | ||
| tWAKE | 開通時間 | 睡眠模式到工作模式延遲 | 100 | μs | ||
| tSLEEP | 關斷時間 | 工作模式到睡眠模式延遲 | 2 | μs | ||
| 邏輯電平輸入 （INx，nSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.4 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.45 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 49 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VI = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VI = 3.3 V | 20 | 50 | μA | |
| RPD | 輸入下拉電阻 | 至 GND | 100 | kΩ | ||
| 驅動器輸出（OUTx） | ||||||
| RDS(on)_HS | 高側 MOSFET 導通電阻 | IO = 0.2 A | 140 | mΩ | ||
| RDS(on)_LS | 低側 MOSFET 導通電阻 | IO = -0.2 A | 140 | mΩ | ||
| VSD | 體二極管正向電壓 | IO = -1.5 A | 1 | V | ||
| tRISE | 輸出上升時間 | VOUTx 上升，從 VVM 的 10% 上升到 90% | 150 | ns | ||
| tFALL | 輸出下降時間 | VOUTx 下降，從 VVM 的 90% 下降到 10% | 150 | ns | ||
| tPD | 輸入至輸出傳播延遲 | 輸入超過 0.8V 至 VOUTx = 0.1×VVM，IO = 1A | 135 | ns | ||
| tDEAD | 輸出死區時間 | 內部死區時間 | 500 | ns | ||
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO,VCC | VCC 電源欠壓鎖定（UVLO） | 電源上升 | 1.65 | V | ||
| 電源下降 | 1.30 | V | ||||
| VUVLO_HYS | 電源 UVLO 遲滯 | 上升至下降閾值 | 80 | mV | ||
| tUVLO | 電源欠壓抗尖峰脈沖時間 | VVCC 下降 至 OUTx 禁用 | 3.8 | μs | ||
| IOCP | 過流保護跳變點 | 4 | A | |||
| tOCP | 過流保護抗尖峰脈沖時間 | 4.2 | μs | |||
| tRETRY | 過流保護重試時間 | 1.7 | ms | |||
| TTSD | 熱關斷溫度 | 153 | 193 | °C | ||
| THYS | 熱關斷滯后 | 22 | °C | |||