由于 DRV8212P 器件集成了能夠驅(qū)動(dòng)大電流的功率 MOSFET,因此,應(yīng)特別注意布局設(shè)計(jì)和外部元件放置。下面提供了一些設(shè)計(jì)和布局指南。有關(guān)布局建議的更多信息,請(qǐng)參閱應(yīng)用手冊(cè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路板布局最佳實(shí)踐。
- 低 ESR 陶瓷電容器應(yīng)用于 VM-to-GND 和 VCC到GND 旁路電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類(lèi)型的電容器。
- VM 和 VCC 電源電容器應(yīng)盡可能靠近器件放置,以最大限度減少回路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器,但也應(yīng)盡可能靠近器件放置,以最大限度減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承載著從電源傳輸?shù)捷敵觯缓笾匦聜骰氐浇拥氐母唠娏鳌?duì)于這些跡線(xiàn),應(yīng)使用厚金屬布線(xiàn)(如果可行)。
- GND 應(yīng)直接連接到 PCB 接地平面上。
- 應(yīng)通過(guò)熱過(guò)孔將器件散熱焊盤(pán)連接到 PCB 頂層接地平面和內(nèi)部接地平面(如果可用),以獲得最強(qiáng)的 PCB 散熱能力。
- 應(yīng)盡可能擴(kuò)大連接到散熱焊盤(pán)的銅平面面積,以確保獲得最佳散熱效果。