數(shù)據(jù)表指定的結(jié)至環(huán)境熱阻 RθJA 主要用于比較各種驅(qū)動(dòng)器或者估算熱性能。不過(guò),實(shí)際系統(tǒng)性能可能比此值更好或更差,具體情況取決于 PCB 層疊、布線、過(guò)孔數(shù)量以及散熱焊盤(pán)周?chē)你~面積。驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)特定電流的時(shí)間長(zhǎng)度也會(huì)影響功率耗散和熱性能。本節(jié)將介紹如何設(shè)計(jì)穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)溫度條件。
本節(jié)中的數(shù)據(jù)是按如下條件仿真得出的:
- 2 層 PCB,標(biāo)準(zhǔn) FR4,1oz(35mm 覆銅厚度)或 2oz 覆銅厚度。散熱過(guò)孔僅存在于散熱焊盤(pán)下方(2 個(gè)過(guò)孔,1.2mm 間距,0.3mm 直徑,0.025mm 銅鍍層)。
- 頂層:DRV8212P WSON 封裝尺寸和銅平面散熱器。頂層銅面積在模擬中有所不同。
- 底層:接地層通過(guò) DRV8212P 散熱焊盤(pán)下方的過(guò)孔進(jìn)行熱連接。底層銅面積隨頂層銅面積而變化。
- 4 層 PCB,標(biāo)準(zhǔn) FR4。外側(cè)平面具有 1oz(35mm 覆銅厚度)或 2oz 覆銅厚度。內(nèi)側(cè)平面保持在 1oz。散熱過(guò)孔僅存在于散熱焊盤(pán)下方(2 個(gè)過(guò)孔,1.2mm 間距,0.3mm 直徑,0.025mm 銅鍍層)。
- 頂層:DRV8212P WSON 封裝尺寸和銅平面散熱器。頂層銅面積在模擬中有所不同。
- 中間層 1:GND 平面通過(guò)過(guò)孔熱連接到 DRV8212P 焊盤(pán)。接地平面的面積為 74.2mm x 74.2mm。
- 中間層 2:電源平面,無(wú)熱連接。電源平面的面積為 74.2mm x 74.2mm。
- 底層:帶有小型銅焊盤(pán)的信號(hào)層位于 DRV8212P 下方,通過(guò)從頂部平面和內(nèi)部 GND 平面拼接進(jìn)行熱連接。底層熱焊盤(pán)的尺寸與封裝相同(2 mm x 2 mm)。雖然頂部銅平面的尺寸并不固定,但底部焊盤(pán)的尺寸保持不變。
圖 9-13 顯示了 HTSSOP 封裝的模擬電路板示例。表 9-5 顯示了每次仿真時(shí)使用的不同板尺寸。
表 9-5 用于 16 引腳 PWP 封裝的尺寸 A
| 銅面積(mm2) |
尺寸 A(mm) |
| 2 |
15.11 |
| 4 |
20.98 |
| 8 |
29.27 |
| 16 |
40.99 |