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ZHCSXG6B November 2024 – January 2025 DRV81004-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|14
- MPDS370A

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|14
- PPTD398

訂購信息

zhcsxg6b_oa

5.5 電氣特性

V_DD = 3V 至 5.5V，V_M = 4V 至 40V，T_J = -40°C 至 +150°C（除非另有說明）

典型值：V_DD = 5V，V_M = 13.5V，T_J = 25°C

參數		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
電源（V_M、V_DD）
V_{M_OP}	VM 最小工作電壓	ENx = 1b，從 UVRVM = 1b 到 V_DS ≤ 1V，R_L = 50Ω				4	V
V_{DD_OP}	VDD 工作電壓	f_SCLK = 5MHz		3		5.5	V
V_MDIFF	V_M 與 V_DD 之間的電壓差				200		mV
I_{VM_SLEEP}	睡眠模式下的模擬電源電流	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J ≤ 85°C		0.7	2	μA
I_{VM_SLEEP}	睡眠模式下的模擬電源電流	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J = 150°C		1	4	μA
I_{VDD_SLEEP}	睡眠模式下的邏輯電源電流	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J ≤ 85°C		0.2	0.7	μA
I_{VDD_SLEEP}	睡眠模式下的邏輯電源電流	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J = 150°C		0.4	3	μA
I_SLEEP	睡眠模式下的總體電流消耗	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J ≤ 85°C		0.9	2.7	μA
I_SLEEP	睡眠模式下的總體電流消耗	nSLEEP，IN0，IN1 懸空，nSCS = VDD	T_J = 150°C		1.4	7	μA
I_{VM_IDLE}	空閑模式下的模擬電源電流	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，IOLx = 0b，nSCS = VDD			0.9	1.5	mA
I_{VM_IDLE}	空閑模式下的模擬電源電流		COR 模式，V_M ≤ V_DD - 1V		0.12	0.2	mA
I_{VDD_IDLE}	空閑模式下的邏輯電源電流	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，nSCS = VDD			0.02	0.1	mA
I_{VDD_IDLE}	空閑模式下的邏輯電源電流		COR 模式，V_M ≤ V_DD - 1V		0.8	1.4	mA
I_IDLE	空閑模式下的總體電流消耗	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 0b，ENx = 0b，IOLx = 0b，nSCS = VDD			0.92	1.6	mA
I_{VM_ACT}	工作模式下的模擬電源電流	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 1b，IOLx = 0b，nSCS = VDD			1.3	2	mA
I_{VM_ACT}	工作模式下的模擬電源電流		COR 模式，V_M ≤ V_DD - 1V		0.1	0.2	mA
I_{VDD_ACT}	工作模式下的邏輯電源電流	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 1b，nSCS = VDD			0.05	0.2	mA
I_{VDD_ACT}	工作模式下的邏輯電源電流	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 1b，nSCS = VDD	COR 模式，V_M ≤ V_DD - 1V		1.25	2	mA
I_ACT	工作模式下的總體電流消耗	nSLEEP = 邏輯高電平，IN0，IN1 懸空，f_SCLK = 0MHz，ACT = 1b，IOLx = 0b，nSCS = VDD			1.35	2.2	mA
t_S2I	睡眠到空閑延遲				200	300	μs
t_I2S	空閑到睡眠延遲				100	150	μs
t_I2A	空閑到工作延遲				100	150	μs
t_A2I	工作到空閑延遲				100	150	μs
t_S2LH	睡眠到跛行回家延遲				300 + t_ON	450 + t_ON	μs
t_LH2S	跛行回家到睡眠延遲				200 + t_OFF	300 + t_OFF	μs
t_LH2A	跛行回家到工作延遲				50	100	μs
t_A2LH	工作到跛行回家延遲				60	100	μs
t_A2S	工作到睡眠延遲				50	100	μs
控制和 SPI 輸入（nSLEEP、IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓			0		0.8	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓（nSLEEP、IN0、IN1）			2		5.5	V
V_{IH_SPI}	輸入邏輯高電平電壓（nSCS、SCLK、SDI）			2		V_DD	V
I_IL	輸入邏輯低電平電流（除 nSCS 外的所有引腳）	V_I = 0.8V		8	12	16	μA
I_IH	輸入邏輯高電平電流（除 nSCS 外的所有引腳）	V_I = 2V		20	30	40	μA
I_{IL_nSCS}	nSCS 輸入邏輯低電平電流	V_nSCS = 0.8V，V_DD = 5V		20	60	90	μA
I_{IH_nSCS}	nSCS 輸入邏輯高電平電流	V_nSCS = 2V，V_DD = 5V		7	45	60	μA
推挽式輸出 (SDO)
V_{SDO_L}	輸出邏輯低電平電壓	I_SDO = -1.5mA		0		0.4	V
V_{SDO_H}	輸出邏輯高電壓	I_SDO = 1.5mA		V_DD - 0.4		V_DD	V
I_{SDO_OFF}	SDO 三態漏電流	V_nSCS = V_DD，V_SDO = 0V 或 V_DD		-0.5		0.5	μA
功率級
R_DS(ON)	導通電阻	T_J = 25°C		0.4	0.7	0.9	Ω
R_DS(ON)	導通電阻	T_J = 150°C，I_L = I_{L_EAR} = 220mA		0.5	1	1.4	Ω
I_{L_NOM}	標稱負載電流（所有通道均處于工作狀態）	T_A = 85°C，T_J ≤ 150°C			470	500	mA
I_{L_NOM}	標稱負載電流（所有通道均處于工作狀態）	T_A = 105°C，T_J ≤ 150°C			370	500	mA
I_{L_EAR}	最大能量耗散的負載電流 - 重復（所有通道均處于工作狀態）	T_A = 85°C，T_J ≤ 150°C			220		mA
E_AR	最大能量耗散重復脈沖 - 2*I_{L_EAR}（兩個通道并聯）	T_J(0) = 85°C，I_L(0) = 2I_{L_EAR}，210⁶ 個周期，PAR = 1b（對于受影響通道）				15	mJ
V_{DS_OP}	電池電量低時的功率級壓降	R_L = 50Ω（通過 V_M = 4V 供電）			0.05	0.25	V
V_{DS_CL}	漏源輸出鉗位電壓	I_L = 20mA		42	46	50	V
I_{L_OFF}	輸出漏電流（每個通道）	V_IN = 0V 或懸空，V_DS = 28V，ENx = 0b	T_J ≤ 85°C		0.15	0.3	μA
I_{L_OFF}	輸出漏電流（每個通道）	V_IN = 0V 或懸空，V_DS = 28V，ENx = 0b	T_J = 150°C		0.5	2	μA
t_{DLY_ON}	導通延遲（從 INx 引腳或位到 V_OUT = 90% V_M）	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		2	5.5	9	μs
t_{DLY_OFF}	關斷延遲（從 INx 引腳或位到 V_OUT = 10% V_M）	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		3	6	11	μs
t_ON	導通時間（從 INx 引腳或位到 V_OUT = 10% V_M）	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		10	16	22	μs
t_OFF	關斷時間（從 INx 引腳或位到 V_OUT = 90% V_M）	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		13	17	24	μs
t_ON - t_OFF	導通/關斷匹配	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		-10	0	10	μs
SR_ON	導通壓擺率，V_DS = 70% 至 30% V_M	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		0.8	1.2	1.6	V/μs
SR_OFF	關斷壓擺率，V_DS = 30% 至 70% V_M	R_L = 50Ω，V_M = 13.5V，工作模式或跛行回家模式		0.8	1.2	1.6	V/μs
t_SYNC	內部基準頻率同步時間				7	10	μs
保護
V_{M_UVLO_F}	VM 欠壓關斷（下降）	ENx = ON，從 V_DS ≤ 1V 到 UVRVM = 1b，R_L = 50Ω		2.64	2.73	2.82	V
V_{M_UVLO_R}	VM 欠壓關斷（上升）			2.77	2.86	2.95	V
V_{DD_UVLO}	VDD 欠壓關斷	V_SDI = V_SCLK = V_nSCS = 0V，SDO 從低電平至高阻態		2.5	2.6	2.7	V
V_{DD_HYS}	VDD 欠壓關斷遲滯			100	120	160	mV
I_{L_OCP0}	過流保護閾值，OCP = 0b	T_J = -40°C		1.4	1.65	2.1	A
		T_J = 25°C		1.3	1.55	1.9	A
		T_J = 150°C		1.1	1.35	1.7	A
I_{L_OCP1}	過流保護閾值，OCP = 0b	T_J = -40°C		0.7	0.9	1.2	A
		T_J = 25°C		0.65	0.85	1.05	A
		T_J = 150°C		0.6	0.75	0.9	A
I_{L_OCP0}	過流保護閾值，OCP = 1b	T_J = -40°C		1.9	2.25	3	A
		T_J = 25°C		1.8	2.1	2.7	A
		T_J = 150°C		1.4	1.8	2.3	A
I_{L_OCP1}	過流保護閾值，OCP = 1b	T_J = -40°C		1.3	1.55	2	A
		T_J = 25°C		1.2	1.45	1.8	A
		T_J = 150°C		1.1	1.3	1.6	A
t_OCPIN	過流閾值開關延遲時間			80	170	260	μs
t_{OFF_OCP}	過流關斷延遲時間			1.5	3.5	6	μs
T_OTW	過熱警告			120	140	160	°C
T_{HYS_OTW}	過熱警告遲滯				12		°C
T_TSD	熱關斷溫度			150	175	200	°C
V_{M_AZ}	過壓保護	I_VM = 10mA，睡眠模式		44	48	50	V
V_{DS_REV}	反極性期間的漏源二極管	I_L = -10mA，睡眠模式	T_J = 25°C		670		mV
V_{DS_REV}	反極性期間的漏源二極管	I_L = -10mA，睡眠模式	T_J = 150°C		530		mV
t_{RETRY0_LH}	跛行回家模式下的重新啟動時間			7	10	13	ms
t_{RETRY1_LH}	跛行回家模式下的重新啟動時間			14	20	26	ms
t_{RETRY2_LH}	跛行回家模式下的重新啟動時間			28	40	52	ms
t_{RETRY3_LH}	跛行回家模式下的重新啟動時間			56	80	104	ms
t_OSM	輸出狀態監控比較器穩定時間					20	μs
V_{DS_OL}	輸出狀態監控閾值電壓			3	3.3	3.6	V
I_OL	輸出診斷電流	V_DS = 3.3V，V_M = 5V 至 18 V		20	75	110	μA
I_OL	輸出診斷電流	V_DS = 3.3V，V_M = 13.5V		60	75	85	μA
R_OL	開路負載等效電阻	V_M = 5V 至 40V		45		190	kΩ