ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
半橋驅動器可以在兩種模式下進行控制，以支持通過 PWM 輸入引腳或 SPI 寄存器控制的控制方案。半橋驅動器還具有配置寄存器（HB_OUT_CNFG1 和 HB_OUT_CNFG2），用于使能半橋控制并設置控制模式（PWM 或 SPI）。
半橋可配置為由來自 PWM1 或 /PWM2 引腳的輸入信號進行控制。輸入到 PWM1 引腳的信號可以在內部多路復用到半橋、高側驅動器和加熱器驅動器。來自 PWM2 引腳的 PWM 控制僅適用于半橋。
下面顯示了配置表。請注意，OUT5 和 OUT6 在 HB_OUT_CNFG2 中配置，OUT1 至 OUT4 在 HB_OUT_CNFG1 中配置：
| OUTX_CNFG[2] | OUTX_CNFG[1] | OUTX_CNFG[0] | OUTx | HS 導通 | LS 導通 |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 關閉 | 關閉 | 關閉 |
| 0 | 0 | 1 | SPI 寄存器控制 | OUTX_CTRL | OUTX_CTRL |
| 0 | 1 | 0 | PWM 1 互補控制 | ~PWM1 | PWM1 |
| 0 | 1 | 1 | PWM 1 LS 控制 | 關閉 | PWM1 |
| 1 | 0 | 0 | PWM 1 HS 控制 | PWM1 | 關閉 |
| 1 | 0 | 1 | PWM 2 互補控制 | ~IPROPI/PWM2 | IPROPI/PWM2 |
| 1 | 1 | 0 | PWM 2 LS 控制 | 關閉 | IPROPI/PWM2 |
| 1 | 1 | 1 | PWM 2 HS 控制 | IPROPI/PWM2 | 關閉 |
當半橋配置為 SPI 寄存器控制 (OUTx_CNFG = 01b) 時，半橋高側和低側 MOSFET 可以在寄存器 HB_CTRL 中通過位 OUTx_CTRL 單獨控制。半橋輸出的控制真值表如下所示：
| OUTx_CTRL (OUT1-6) 位 | 配置 | 說明 |
|---|---|---|
| 00 | 關閉 | 半橋控制關閉 |
| 01 | HS 導通 | 高側 MOSFET 導通 |
| 10 | LS 導通 | 低側 MOSFET 導通 |
| 11 | RSVD | 保留。 |
只要 SPI 通信可用，就可以通過寫入這些位來更改半橋控制模式。此更改會立即反映出來。
當半橋配置為 PWM 運行（OUTx_CNFG = 01Xb 或 10Xb）時，輸入可接受用于 100% 或 PWM 驅動模式的靜態(tài)或脈寬調制 (PWM) 電壓信號。PWM 信號關斷狀態(tài)期間，半橋的默認行為是將輸出設置為 Hi-Z。
在開關半橋上的高側和低側 FET 之間轉換時，該器件會自動生成所需的死區(qū)時間。該時序基于內部 FET 柵源電壓。無需外部時序。該方案提供最短的死區(qū)時間，同時防止擊穿電流。