ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
以下是電致變色驅(qū)動(dòng)器的方框圖:
根據(jù)系統(tǒng)實(shí)施情況,器件的電子鉻驅(qū)動(dòng)器支持如下配置:電子鉻高側(cè)充電 MOSFET 的漏極可由高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 OUT11 供電,也可直接由電源電壓 (PVDD) 供電。EC 控制塊可以獨(dú)立于電源運(yùn)行,無(wú)論在哪種配置下,都具有獨(dú)立的保護(hù)電路。如果需要額外的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)另一個(gè)負(fù)載,這會(huì)很有用。該配置中的主要限制是,如果充電 MOSFET 發(fā)生短路故障,則無(wú)法像將 OUT11 用作 EC 電源一樣切斷與電源的連接。當(dāng) EC 直接由 PVDD 供電(OUT11 配置為獨(dú)立模式)時(shí),仍可以檢測(cè)到短路和開(kāi)路負(fù)載情況。
OUT11 用于為 EC 供電:該配置在寄存器 HS_OC_CNFG 的 OUT11_EC_MODE 位中設(shè)置。默認(rèn)情況下,OUT11_EC_MODE = 1b,配置為 EC 驅(qū)動(dòng)器的電源,如上面的方框圖所示。在該配置下,寄存器 HS_HEAT_OUT_CNFG 中的 OUT11_CNFG 位被忽略(ON/OFF、SPI/PWM)。在 EC 充電和放電狀態(tài)期間,OUT11 和 1.5Ω ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 均分別激活了過(guò)流和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)功能。
PVDD 為 EC 供電,OUT11 獨(dú)立:要使用 OUT11 作為獨(dú)立高側(cè)驅(qū)動(dòng)器(獨(dú)立于 EC 控制)來(lái)驅(qū)動(dòng)單獨(dú)的負(fù)載,其中 EC 充電 MOSFET 的漏極直接連接到電源電壓,請(qǐng)?jiān)诩拇嫫?HS_OC_CNFG 中設(shè)置 OUT11_EC_MODE = 0b。在該配置中,ECFB 上具有電池短路、接地短路和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)功能,這些功能可在 EC 充電狀態(tài)期間獨(dú)立使能,從而取代 OUT11 的診斷功能。與之前一樣,ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 保護(hù)電路在 EC 放電狀態(tài)期間處于激活狀態(tài)。下圖顯示了該配置:
要使能 EC 驅(qū)動(dòng)器:將寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_ON 和 EC_V_TAR 位設(shè)置為所需的目標(biāo)電壓,以使能 EC 驅(qū)動(dòng)器控制環(huán)路。這些位置位后,將使能 EC 驅(qū)動(dòng)器控制環(huán)路。
對(duì)于 EC 元件電壓控制:EC 驅(qū)動(dòng)器一旦使能,驅(qū)動(dòng)器的反饋回路即被激活,并會(huì)將 ECFB 引腳電壓調(diào)節(jié)到寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_V_TAR 位中設(shè)置的目標(biāo)電壓。ECFB 引腳上的目標(biāo)電壓采用二進(jìn)制編碼,滿標(biāo)量程為 1.5V 或 1.2V,具體取決于寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_MAX 位設(shè)置為 1 還是 0。ECFB_MAX = 0b 是默認(rèn)值 (1.2V)。
每當(dāng)為 EC 電壓設(shè)置新值時(shí),一旦控制回路開(kāi)始調(diào)節(jié)到新的目標(biāo)值,ECFB 的 ECFB_HI 或 ECFB_LO 狀態(tài)指示就會(huì)有 250μs 的消隱時(shí)間 tBLK_ECFB。
該器件提供兩種放電模式:快速放電和 PWM 放電。
EC 元件快速放電:要通過(guò)快速放電模式對(duì) EC 元件完全放電,目標(biāo)輸出電壓 EC_V_TAR 必須設(shè)置為“0b”,ECFB_LS_EN 位和 EC_ON 位必須設(shè)置為“1b”。當(dāng)滿足這三個(gè)條件時(shí),通過(guò)將 ECFB 引腳上的內(nèi)部 1.5Ω 低側(cè) MOSFET 拉至接地來(lái)對(duì)引腳 ECFB 上的電壓進(jìn)行放電。
EC 元件 PWM 放電:以下步驟概述了電子鉻驅(qū)動(dòng)器的 PWM 放電周期:
下圖顯示了電子鉻驅(qū)動(dòng)器的 PWM 放電周期:
電壓控制環(huán)路的狀態(tài)通過(guò) SPI 報(bào)告,TI 建議觀察該報(bào)告以確定 EC 充電和放電控制時(shí)序。如果引腳 ECFB 上的電壓高于目標(biāo)值,則 ECFB_HI 位置位。如果引腳 ECFB 上的電壓低于目標(biāo)值,則 ECFB_LO 位置位。如果 ECFB 狀態(tài)位 ECFB_HI 和 ECFB_LO 至少在濾波器時(shí)間 tFT_ECFB 內(nèi)保持穩(wěn)定,則這些位均有效。這些位不會(huì)被鎖存,也不會(huì)被分配為全局故障。
退出放電模式:要退出放電模式,必須將 ECFB_LS_EN 取消置位。如果在對(duì)新的目標(biāo)電壓進(jìn)行編程時(shí) ECFB_LS_EN 位保持高電平,則控制環(huán)路不會(huì)響應(yīng),因?yàn)閮?nèi)部邏輯會(huì)阻止 OUT11 和 ECFB LS 同時(shí)導(dǎo)通。
必須在引腳 ECDRV 上添加一個(gè)至少 4.7nF 的電容器,并在 ECFB 和接地端之間添加 220nF 的電容器,以提高控制環(huán)路穩(wěn)定性。出于防噪性能的原因,TI 建議將環(huán)路電容器盡可能靠近相應(yīng)的引腳放置。
如果不使用 EC 驅(qū)動(dòng)器,則將 ECFB 引腳接地。