ZHCSV74A June 2024 – July 2025 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
放置大容量電容器時(shí)，應(yīng)盡量縮短驅(qū)動(dòng)器路徑的距離。連接金屬布線寬度應(yīng)盡可能寬，并且在連接 PCB 層時(shí)應(yīng)使用許多過(guò)孔。這些做法更大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供大瞬時(shí)電流。
電荷泵、AVDD 和 VREF 電容器等低容值電容器應(yīng)為陶瓷電容器，并應(yīng)靠近器件引腳放置。
大電流器件輸出應(yīng)使用寬金屬布線。
為減少大瞬態(tài)電流進(jìn)入小電流信號(hào)路徑的噪聲耦合和 EMI 干擾，應(yīng)在 PGND 和 AGND 之間分區(qū)接地。TI 建議將所有非功率級(jí)電路（包括散熱焊盤(pán)）連接到 AGND，以降低寄生效應(yīng)并改善器件的功率耗散。確保接地端通過(guò)網(wǎng)絡(luò)連接或?qū)掚娮杵鬟B接，以減小電壓偏移并保持柵極驅(qū)動(dòng)器性能。
器件散熱焊盤(pán)應(yīng)焊接到 PCB 頂層接地平面。應(yīng)使用多個(gè)過(guò)孔連接到較大的底層接地平面。使用大金屬平面和多個(gè)過(guò)孔有助于散發(fā)器件中產(chǎn)生的功率損耗。
為了提高熱性能，請(qǐng)?jiān)?PCB 的所有可能層上盡可能地增大連接到散熱焊盤(pán)接地端的接地面積。使用較厚的覆銅可以降低結(jié)至空氣熱阻并改善芯片表面的散熱。
通過(guò)接地隔離將 SW_BK 和 FB_BK 跡線分開(kāi)，減少降壓開(kāi)關(guān)作為噪聲耦合到降壓外部反饋環(huán)路中的情況。盡可能加寬 FB_BK 跡線，以實(shí)現(xiàn)更快的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
圖 7-5顯示了 DRV2911-Q1 的布局示例。