ZHCSV74A June 2024 – July 2025 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
該器件受到全面保護,可防止 MOSFET 發生任何跨導 - 在高側和低側 MOSFET 切換期間,DRV2911-Q1 通過插入死區時間 (tdead) 來避免擊穿事件。這是通過檢測高側和低側 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側 MOSFET 的 VGS 已達到低于關斷電平,然后再打開同一半橋的低側 MOSFET(反之亦然)來實現的,如圖 6-15 和圖 6-16 所示。