ZHCS764B February 2012 – September 2022 CSD25211W1015
PRODUCTION DATA
此器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。
圖 3-1 頂視圖| TA = 25°C 時測得,除非另外注明 | 典型值 | 單位 | ||
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 3.4 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 0.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導通電阻 | VGS = -2.5V | 36 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 27 | mΩ | ||
| VGS(th) | 電壓閾值 | -0.8 | V | |
| 器件 | 封裝 | 介質 | 數量 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25211W1015 | 1 × 1.5 晶圓級封裝 | 7 英寸卷帶 | 3000 | 卷帶包裝 |
| TA = 25°C 時測得,除非另外注明 | 值 | 單位 | |
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -6 | V |
| ID | 持續漏極電流,TA = 25°C(1) | -3.2 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流,TA = 25°C(2) | -9.5 | A |
| IG | 持續柵極電流,TA = 25°C | -0.5 | A |
| 脈沖柵極電流 | -7 | A | |
| PD | 功率耗散(1) | 1 | W |
| TSTG | 儲存溫度范圍 | -55 至 150 | °C |
| TJ | 工作結溫范圍 | ||
RDS(ON)與 VGS 間的關系
柵極電荷