ZHCSEX4B April 2016 – February 2022 CSD23280F3
PRODUCTION DATA
3 說明
該-12V、97mΩ P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。
典型器件尺寸產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (4.5V) | 0.95 | nC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵極到漏極） | 0.068 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 導通電阻 |
VGS = –1.5V | 230 | m? |
| VGS = –1.8V | 180 | |||
| VGS = –2.5V | 129 | |||
| VGS = –4.5V | 97 | |||
| VGS(th) | 閾值電壓 | –0.65 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23280F3 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto 0.73mm × 0.64mm 基板柵格陣列 (LGA) |
卷帶 包裝 |
| CSD23280F3T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | –12 | V |
| VGS | 柵源電壓 | –6 | V |
| ID | 持續漏極電流(1) | 2.9 | A |
| 持續漏極電流(2) | 1.8 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流(1)(3) | 11.4 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 1.4 | W |
| 功率耗散(2) | 0.5 | ||
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
工作結溫、 貯存溫度 |
–55 至 150 | °C |
(1) 典型 RθJA = 90°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安裝 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、 0.071mm 厚的銅焊盤時）。
(2) 電路板覆銅面積最小時的典型 RθJA = 255°C/W
(3) 脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
頂視圖