對(duì)于本示例，請(qǐng)遵循以下準(zhǔn)則：
- 使用 GND 屏蔽隔離輸入和輸出。圖 8-5 將所有輸入和輸出作為差分對(duì)進(jìn)行路由。
- 生成多個(gè)頻率時(shí)將輸出與相鄰輸出相隔離。
- 隔離晶體區(qū)域，連接晶體封裝的 GND 焊盤并淹沒相鄰區(qū)域。圖 8-6 展示了支持多種晶體尺寸的封裝。
- 盡可能避免扇入和扇出區(qū)域的阻抗跳躍。
- 使用五個(gè)過孔將散熱焊盤連接到一個(gè)實(shí)心 GND 平面。最好使用全通過孔。
- 將具有小電容值的去耦電容器放置在非?？拷娫匆_的位置。嘗試將這些電容器非常靠近地放置在同一層上或直接放置在背面層上。值越大，可以放置得越遠(yuǎn)。圖 8-6 展示了靠近器件的三個(gè)去耦電容器。建議使用鐵氧體磁珠來隔離不同的頻域和 VDD_VCO 域。
- 最好使用多個(gè)過孔將寬電源引線連接到相應(yīng)的電源平面。