ZHCSUP2 March 2025 BQ76907-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)未被命令阻止并且不存在相關(guān)故障(例如 UV、OTD、UTD、OCD1、OCD2、SCD 和選擇診斷)時(shí),DSG 引腳會(huì)被驅(qū)動(dòng)為高電平,這種配置用于實(shí)現(xiàn)自主控制或用于體二極管保護(hù)??梢酝ㄟ^命令強(qiáng)制啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器,但只有配置設(shè)置允許時(shí),該命令才能生效。
DSG 驅(qū)動(dòng)器旨在允許用戶選擇 DSG 引腳和 DSG FET 柵極之間的最佳串聯(lián)電阻,以根據(jù)應(yīng)用要求和 FET 特性選擇實(shí)現(xiàn)所需的 FET 上升和下降時(shí)間。當(dāng) DSG FET 關(guān)斷時(shí),DSG 引腳會(huì)驅(qū)動(dòng)為低電平,并會(huì)禁用所有放電過流保(OCD1、OCD2、SCD),以便更好地節(jié)省功耗。這些操作會(huì)在 DSG FET 開啟時(shí)恢復(fù)運(yùn)行。器件配置設(shè)置決定哪種保護(hù)將自主控制相應(yīng)的 FET 驅(qū)動(dòng)器。
僅當(dāng)未被命令阻止并且不存在相關(guān)故障(OV、OTC、UTC、OCC、SCD 和選擇診斷)時(shí),CHG 引腳才會(huì)被驅(qū)動(dòng)為高電平,這種配置用于實(shí)現(xiàn)自主控制或用于體二極管保護(hù)??梢酝ㄟ^命令強(qiáng)制啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器,但只有配置設(shè)置允許時(shí),該命令才能生效。關(guān)斷 CHG 引腳不影響過流保護(hù)電路。CHG FET 驅(qū)動(dòng)器在啟用時(shí)主動(dòng)將 CHG 引腳驅(qū)動(dòng)為高電平,并在禁用時(shí)主動(dòng)將該引腳驅(qū)動(dòng)為低電平,使其在大約 100μs 的時(shí)間內(nèi)比 VSS 電壓高大約 0.5V,然后允許該引腳通過外部 CHG FET 柵源電阻器穩(wěn)定到 PACK- 電壓。如果在禁用 CHG FET 的情況下將充電器連接到電池包,則根據(jù)器件的電氣規(guī)格,CHG 引腳可降至比器件 VSS 低 25V 的電壓。由于 CHG 會(huì)在 100μs 的時(shí)間間隔期間主動(dòng)拉至低電平,CHG 驅(qū)動(dòng)電路(由驅(qū)動(dòng)器有效電阻、CHG 引腳和 CHG FET 柵極之間的任何串聯(lián)電阻和 FET 柵極電容組成)的時(shí)間常數(shù)應(yīng)保持遠(yuǎn)低于此水平。
BQ76907-Q1 在 CHG 和 DSG FET 驅(qū)動(dòng)器上具有 PWM 驅(qū)動(dòng)能力,這使得這些驅(qū)動(dòng)器能夠限制充電或放電模式下的平均電流。DSG FET 驅(qū)動(dòng)器根據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制,主動(dòng)將 DSG 引腳驅(qū)動(dòng)為高電平或低電平,因此可以實(shí)現(xiàn)持續(xù)開關(guān),從而開啟和關(guān)閉 DSG FET。如果未連接充電器,那么 CHG 驅(qū)動(dòng)器也可以在 PWM 模式下實(shí)現(xiàn)連續(xù)開關(guān)。如果連接了充電器且電壓明顯高于電池包電壓,則 CHG FET 柵極電壓通常會(huì)被快速驅(qū)動(dòng)至約 VSS + 0.5V,然后更慢地穩(wěn)定至較低的 PACK- 電壓,具體取決于系統(tǒng)電容。有關(guān)更多信息,請(qǐng)參閱 BQ76907-Q1 技術(shù)參考手冊(cè)。