ZHCSSI5B December 2022 – March 2024 BQ25758
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRV|36
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRV|36
訂購(gòu)信息
4 引腳配置和功能
圖 4-1 BQ25758 RRV 封裝36 引腳 VQFN頂視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | I/O | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱(chēng) | 編號(hào) | ||
| SCL | 1 | DI | I2C 接口時(shí)鐘 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。 |
| SDA | 2 | DIO | I2C 接口數(shù)據(jù) – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。 |
| INT | 3 | DO | 開(kāi)漏中斷輸出 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 INT 引腳連接到邏輯軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖，以報(bào)告控制器器件狀態(tài)和故障。 |
| STAT | 4 | DO | 開(kāi)漏狀態(tài)輸出 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器連接至上拉電源軌。當(dāng) DIS_STAT_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 STAT 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT_ON 位用作通用指示器。 |
| NC | 5 | - | 未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND |
| PG/STAT3 | 6 | DO | 開(kāi)漏低電平有效電源正常狀態(tài)指示器 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。如果 VAC 處于編程的 ACUV/ACOV 工作窗口之內(nèi)，則 LOW 表示輸入源良好。當(dāng) DIS_PG_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 PG 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT3_ON 位用作通用指示器。 |
| CE/STAT4 | 7 | DIO | 低電平有效使能引腳 – 當(dāng) EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟用電源轉(zhuǎn)換。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。當(dāng) DIS_CE_PIN 位設(shè)置為 1 時(shí)，可以禁用 CE 引腳功能。禁用后，該引腳可通過(guò) FORCE_STAT4_ON 位用作通用指示器。 |
| TS/NC | 8 | AI | 溫度鑒定電壓輸入 – 此引腳的功能通常被禁用。如果不需要，請(qǐng)將該引腳保持懸空。 要啟用引腳功能，請(qǐng)將 EN_TS 寄存器位設(shè)置為 1。連接一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。使用從 REGN 到 TS 再到 PGND 的電阻分壓器對(duì)溫度窗口進(jìn)行編程。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，電源轉(zhuǎn)換暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。 |
| IOUT | 9 | AI | 輸出電流限制設(shè)置 – IOUT 引腳設(shè)置最大輸出電流，并可用于監(jiān)測(cè)輸出電流。連接到 PGND 的編程電阻用于將輸出電流限制設(shè)置為 IIOUT = KIOUT/RIOUT。當(dāng)器件處于輸出電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，IOUT 引腳電壓為 VREF_IOUT。當(dāng) IOUT 引腳電壓小于 VREF_IOUT 時(shí)，實(shí)際輸出電流可按下式計(jì)算：IOUT = KIOUT x VIOUT / ( RIOUT x VREF_IOUT)。實(shí)際輸出電流限制是 IOUT 引腳或 IOUT_REG 寄存器位設(shè)置的限制中的較低者。當(dāng) EN_IOUT_PIN 位為 0 時(shí)，可以禁用該引腳功能。如果不使用 IOUT 引腳，該引腳應(yīng)拉至 PGND，不要懸空。 |
| IIN | 10 | AI | 輸入電流限制設(shè)置 – IIN 引腳設(shè)置最大輸入電流，并可用于監(jiān)測(cè)輸入電流。連接到 PGND 的編程電阻用于將輸入電流限制設(shè)置為 ILIM = KILIM/RIIN。當(dāng)器件處于輸入電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，IIN 引腳上的電壓為 VREF_IILIM。當(dāng) IIN 引腳電壓小于 VREF_ILIM 時(shí)，實(shí)際輸入電流可按下式計(jì)算：IAC = KILIM x VIIN / ( RIIN x VREF_ILIM)。實(shí)際輸入電流限制是 IIN 引腳或 IAC_DPM 寄存器位設(shè)置的限制中的較低者。當(dāng) EN_IIN_PIN 位為 0 時(shí)，可以禁用該引腳功能。如果不使用 IIN 引腳，該引腳應(yīng)拉至 PGND，不要懸空。 |
| NC | 11 | - | 未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND |
| VO_SNS | 12 | AI | 輸出電壓檢測(cè) – 開(kāi)爾文直接連接到輸出電壓調(diào)節(jié)點(diǎn)。 |
| SRN | 13 | AI | 電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRN 引腳和 PGND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| SRP | 14 | AI | 電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 SRN 和 SRP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 SRP 引腳和 PGND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| NC | 15 | - | 未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND |
| NC | 16 | - | 未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND |
| 模式 | 17 | AI | 模式編程電阻 – 在該引腳與 PGND 之間連接一個(gè)電阻器，以便在降壓/升壓或僅降壓操作之間進(jìn)行選擇。 請(qǐng)參考 MODE 引腳配置部分了解更多詳細(xì)信息。 |
| SW2 | 18 | AI | 升壓側(cè)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) – |
| HIDRV2 | 19 | AO | 升壓側(cè)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到升壓高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| BTST2 | 20 | P | 升壓側(cè)高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST2 和 SW2 之間連接一個(gè)電容器，為高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置。 |
| LODRV2 | 21 | AO | 升壓側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到升壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| PGND | 22 | - | 電源接地回路 – 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的高電流接地連接。 |
| DRV_SUP | 23 | P | 柵極驅(qū)動(dòng)電源輸入 – 該引腳上的電壓用于驅(qū)動(dòng)降壓/升壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān) FET 的柵極。在 DRV_SUP 和電源地之間連接一個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器。通過(guò)將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開(kāi)關(guān) FET 的柵極驅(qū)動(dòng)器電源。在高壓應(yīng)用中，可以通過(guò)外部電源直接提供高達(dá) 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)效率。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 6.3.3.3。 |
| REGN | 24 | P | 內(nèi)部線(xiàn)性穩(wěn)壓器輸出 – 在 REGN 與電源地之間連接一個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器。通過(guò)將 REGN 連接到 DRV_SUP 引腳，REGN LDO 電壓可用作所有開(kāi)關(guān) FET 的柵極驅(qū)動(dòng)器電源。在高壓應(yīng)用中，可以通過(guò)外部電源直接提供高達(dá) 12V 的 DRV_SUP 電壓，以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)效率。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 6.3.3.3。 |
| LODRV1 | 25 | AO | 降壓側(cè)低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到降壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| BTST1 | 26 | P | 降壓側(cè)高側(cè)功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 – 在 BTST1 和 SW1 之間連接一個(gè)電容器，為高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器提供偏置。 |
| HIDRV1 | 27 | AO | 降壓側(cè)高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 – 連接到降壓高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。 |
| SW1 | 28 | AI | 升壓側(cè)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) – |
| ACN | 29 | AI | 適配器電流檢測(cè)電阻，負(fù)輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACN 引腳和 PGND 之間放置一個(gè)可選的 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波。 |
| ACP | 30 | AI | 適配器電流檢測(cè)電阻，正輸入 – 在 ACN 和 ACP 之間放置一個(gè) 0.47μF 陶瓷電容器，以提供差模濾波。在 ACP 引腳和 PGND 之間放置一個(gè) 0.1μF 陶瓷電容器，實(shí)現(xiàn)共模濾波 |
| NC | 31 | - | 未連接 - 將此引腳懸空，不要連接到 PGND |
| VAC | 32 | P | 輸入電壓檢測(cè)和電源 - VAC 是為 IC 供電的輸入偏置。在引腳和 PGND 之間連接一個(gè) 1μF 電容器。啟用反向模式時(shí)，引腳 32 被調(diào)節(jié)為 VAC_REV。 |
| 33 | |||
| ACUV | 34 | AI | VAC 欠壓比較器輸入 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個(gè)電阻分壓器以對(duì)欠壓保護(hù)進(jìn)行編程。當(dāng)該引腳降至 VREF_ACUV 以下時(shí)，器件停止運(yùn)行。輸入電壓調(diào)節(jié)基準(zhǔn)的硬件限制為 VACUV_DPM。實(shí)際輸入電壓調(diào)節(jié)設(shè)置是引腳編程值和 VAC_DPM 寄存器值中的較高者。如果不使用 ACUV 編程，則將該引腳拉至 VAC，不要懸空。 |
| ACOV | 35 | AI | VAC 過(guò)壓比較器輸入 – 在 VAC 和 PGND 之間連接一個(gè)電阻分壓器以對(duì)過(guò)壓保護(hù)進(jìn)行編程。當(dāng)該引腳升至 VREF_ACOV 以上時(shí)，器件停止運(yùn)行。如果不使用 ACOV 編程，則將該引腳拉至 PGND，不要懸空。 |
| FSW_SYNC | 36 | DAI | 開(kāi)關(guān)頻率和同步輸入 – 將外部電阻連接到 FSW_SYNC 引腳和 PGND 以設(shè)置標(biāo)稱(chēng)開(kāi)關(guān)頻率。該引腳還可用于將 PWM 控制器與外部時(shí)鐘進(jìn)行同步。 |
| 散熱焊盤(pán) | 37 | - | IC 下方的裸露焊盤(pán) – 始終將散熱焊盤(pán)焊接到電路板上，并在散熱焊盤(pán)平面上通過(guò)過(guò)孔星形連接到 PGND 和大電流電源轉(zhuǎn)換器的接地平面。它還用作散熱焊盤(pán)以進(jìn)行散熱。 |