ZHCSSI5B December 2022 – March 2024 BQ25758
PRODUCTION DATA
該器件支持旁路模式,允許 VOUT = VAC(無(wú)需調(diào)節(jié))并實(shí)現(xiàn)最高效率。在該運(yùn)行模式下,降壓和升壓高側(cè) FET(Q1 和 Q4)均導(dǎo)通,而降壓和升壓低側(cè) FET(Q2 和 Q3)保持關(guān)斷。輸入功率直接通過(guò)功率級(jí)傳遞到輸出。MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗和電感器磁芯損耗被消除,從而提供最高的效率。可以通過(guò)將 EN_BYPASS 寄存器位設(shè)置為 1 來(lái)啟用旁路模式。
當(dāng)器件處于旁路模式時(shí),流過(guò) ROUT_SNS 的電流被監(jiān)測(cè)并與 IOUT_REG 寄存器設(shè)置進(jìn)行比較。如果輸出電流超過(guò)寄存器設(shè)置,器件將自動(dòng)退出旁路模式并進(jìn)入高阻態(tài)模式(完全禁用功率級(jí))。IBAT_OCP_STAT 位被設(shè)置,并且一個(gè) INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)發(fā)送信號(hào)。要從該故障中恢復(fù),建議清除 EN_HIZ 位。