ZHCSXR2A May 2024 – January 2025 BQ25186
PRODUCTION DATA
在運行過程中，為了防止器件因過熱而損壞，會監控裸片的結溫 TJ。當 TJ 達到 TSHUT_RISING 時，器件停止充電操作，并且 VSYS 關閉。如果在向器件（電池或適配器）供電之前 TJ > TSHUT_RISING，無論 TSMR 引腳如何，輸入 FET 和 BATFET 都不會導通。此后，當溫度降至低于 TSHUT_FALLING 時，如果存在 VIN 或處于僅電池模式，器件將自動上電。
設計充電系統時，應考慮輸入電壓、充電電流和系統負載等熱效應注意事項。它的設計應使器件能夠定期達到 TSHUT。相反，器件結溫應限制在建議運行溫度條件下的最高結溫度。
在充電過程中，為了防止器件過熱，器件會監控裸片的結溫，并在 TJ 達到熱調節閾值 (TREG) 時根據 THERM_REG 設置所設置的位減小充電電流。如果充電電流降至 0，則電池會提供為 SYS 輸出供電所需的電流。在 I2C 中可以選擇四種溫度設置，如節 6.5所示。建議不要禁用該 THERM_REG 功能，尤其是在以高輸入電壓充電時。在高輸入電壓下拉高電流可能會導致器件超過絕對最高結溫額定值，并可能損壞器件。
確保系統功率損耗在器件的限制范圍內。可以使用以下公式計算器件的功率損耗：
PDISS = PSYS + PBAT，其中：
PSYS = (VIN – VSYS) * IIN
PBAT = (VSYS – VBAT) * IBAT
可使用以下公式，根據預期的電路板性能估算裸片結溫 TJ：
TJ = TA + θJA * PDISS
θJA 在很大程度上由電路板布局布線、電路板層、覆銅厚度和布局決定。.更多有關新舊熱指標的信息，請參閱 IC 封裝熱指標應用報告。在典型條件下，處于這種狀態的時間非常短。