ZHCSNR9 November 2021 BQ25173
PRODUCTION DATA
圖 5-1 DSG (WSON) 封裝 8 引腳 頂視圖| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
IN | 1 | P | 輸入電源。連接到外部直流電源。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的電容器將 IN 旁路至 GND。 |
ISET | 2 | I | 對器件快速充電電流 ICHG 進行編程。ISET 與 GND 之間的外部電阻定義了快速充電電流值。預期范圍為 30kΩ (10mA) 至 375Ω (800mA)。ICHG = KISET / RISET。 |
| CE | 3 | I | 低電平有效充電使能引腳。當 CE 引腳為低電平時,充電啟用。當 CE 引腳為高電平時,IC 保持在關斷模式并且充電被禁用。如果此引腳懸空,則默認情況下,內部下拉電阻 (RPD_CE) 將使能 IC。 |
| GND | 4 | - | 接地引腳。 |
| STAT | 5 | O | 開漏充電器狀態指示輸出。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示 VOUT 已達到可編程穩壓電壓 VREG 的 98%。高電平表示正在充電。 |
| PG | 6 | O | 開漏充電器電源正常狀態輸出。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當 VIN > VIN_LOWV 且 VOUT + VSLEEPZ < VIN < VIN_OV 時,PG 變為低電平。 |
| FB | 7 | I | 對超級電容器穩壓電壓 VREG 進行編程。在 VOUT 至 GND 之間使用不超過 1MΩ 的反饋分壓器來設置穩壓電壓。電阻分壓器網絡的底部可以連接到 PG,以便在移除輸入時降低功耗(對于 VREG ≤ 5V)。 |
| OUT | 8 | P | 超級電容器連接。系統負載可以與超級電容器并聯。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的電容器將 OUT 旁路至 GND。 |
| 散熱焊盤 | — | P | IC 下方的外露焊盤用于散熱。將散熱焊盤焊接到電路板上并使用通孔連接到實心 GND 平面。 |