ZHCSTV2 August 2024 AMC3306M25-Q1
PRODUCTION DATA
AMC3306M25-Q1 由標稱值為 3.3V 或 5V 的低側電源 (VDD) 供電。將一個 1nF 低 ESR 去耦電容器(圖 7-4 中的 C8)盡可能靠近 VDD 引腳放置。在 1nF 電容器之后接上一個 1μF 電容器 (C9),以對此電源路徑進行濾波。
通過靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引腳之間的 100nF 低 ESR 電容器 (C4) 對直流/直流轉換器的低側去耦。使用 1μF 電容器 (C2) 對高側去耦。此外,將 1nF 低 ESR 電容器 (C3) 盡可能靠近器件放置,并將該電容器連接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引腳。
對于高側 LDO,使用 1nF 低 ESR 電容器 (C6),盡可能靠近 AMC3306M25-Q1 放置,然后使用 100nF 去耦電容器 (C5)。
高側接地基準 (HGND) 由連接到器件負輸入端 (INN) 的分流電阻器端子提供。為獲得更高 DC 精度,請使用單獨的引線進行此連接,而不是直接在器件輸入端將 HGND 短接至 INN。高側直流/直流接地端子 (DCDC_HGND) 直接在器件引腳處短接到 HGND。
在應用中出現的適用直流偏置條件下,確保電容器能夠提供足夠的有效 電容。在實際條件下,通常僅使用 MLCC 電容器標稱電容的一小部分,因此在選擇這些電容器時,應考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴重,在該類電容器中,電容器越薄,電介質電場強度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關系曲線,這大大簡化了元件的選型。
可從 www.ti.com 下載衰減 AMC3301 系列輻射發射 EMI 的優秀實踐 應用手冊。
表 7-2 列出了推薦用于 AMC3306M25-Q1 的元件。此列表并不是詳盡無遺。可能存在具有同等能力(或更好)的其他元件,但這些列出的元件已在 AMC3306M25-Q1 的開發過程中得到驗證。
| 說明 | 器件型號 | 制造商 | 大小(EIA,L x W) | |
|---|---|---|---|---|
| VDD | ||||
| C8 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206,3.2mm × 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm | ||
| C9 | 1μF ± 10%,X7R,25V | 12063C105KAT2A(1) | AVX | 1206,3.2mm × 1.6mm |
| CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603,1.6mm × 0.8mm | ||
| 直流/直流轉換器 | ||||
| C4 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm |
| C3 | 1nF ± 10%,X7R,50V | C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm |
| C2 | 1μF ± 10%,X7R,25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603,1.6mm × 0.8mm |
| HLDO | ||||
| C1 | 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm |
| C5 | 100nF ± 5%,NP0,50V | C3216NP01H104J160AA(1) | TDK | 1206,3.2mm × 1.6mm |
| 100nF ± 10%,X7R,50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm | |
| C6 | 1nF ± 10%,X7R,50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206,3.2mm × 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603,1.6mm × 0.8mm | ||
| 鐵氧體磁珠 | ||||
| FB1、FB2、FB3 | 鐵氧體磁珠(2) | 74269244182 | Wurth Elektronik | 0402,1.0mm × 0.5mm |
| BLM15HD182SH1 | Murata | 0402,1.0mm × 0.5mm | ||
| BKH1005LM182-T | Taiyo Yuden | 0402,1.0mm × 0.5mm | ||