氮化鎵 (GaN) 智能電源模塊 (IPM)
借助我們的集成式氮化鎵 (GaN) 智能電源模塊 (IPM)，更大限度地提升高壓電機驅(qū)動應(yīng)用的電源效率
我們的集成式 GaN IPM 可實現(xiàn) 99% 以上的逆變器效率，無需外部散熱器，并可改善熱性能、降低功率損耗。先進(jìn)的集成和更高的功率密度可縮減解決方案尺寸和系統(tǒng)級成本。超低的死區(qū)時間和傳播延遲可通過減少電流諧波和更高精度的電流檢測來提高聲學(xué)性能。更高的電源效率、零反向恢復(fù)、精確的壓擺率控制以及短路和過流保護(hù)可提高系統(tǒng)可靠性并延長電機驅(qū)動的使用壽命。
相關(guān)類別
我們 GaN IPM 的優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
我們的智能電源模塊集成了具有低導(dǎo)通電阻的高壓 GaN 器件，與 IGBT 或 MOSFET 模塊相比，可將逆變器效率提高 2%，并將功率損耗降低 50% 或以上。
延長電機驅(qū)動的使用壽命
集成的壓擺率控制和多級保護(hù)有助于減少電機發(fā)熱、更大限度提高電源效率并在電機使用壽命期間增強絕緣。
實現(xiàn)安靜精確的電機運行
實現(xiàn)具有低傳播延遲的精確電流檢測，并通過低死區(qū)時間減少電流諧波。低占空比支持可實現(xiàn)更寬的電機轉(zhuǎn)速范圍。
提高功率密度并降低系統(tǒng)成本
通過省去散熱器并集成電流檢測放大器和保護(hù)功能，將系統(tǒng)尺寸減小多達(dá) 60%。
特色技術(shù)
GaN IPM 簡介
與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極晶體管相比，使用氮化鎵 (GaN) 構(gòu)建的智能電源模塊 (IPM) 可實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
優(yōu)勢：
- 該功率級具有 >99% 的效率，無需散熱器等冷卻元件，從而可提高整體效率并縮減電機驅(qū)動器系統(tǒng)尺寸。
- <150ns 死區(qū)時間和傳播延遲以及更高的脈寬調(diào)制開關(guān)頻率，可減少電流失真，從而提高聲學(xué)性能。
技術(shù)文章
通過基于 GaN 的電機系統(tǒng)設(shè)計提高家電能效并節(jié)省成本
探索 GaN 技術(shù)與無刷直流電機系統(tǒng)的結(jié)合如何幫助提高消費者的生活水平。
了解特色應(yīng)用
技術(shù)資源
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視頻
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白皮書
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