為何選擇我們的多相內核電源解決方案？
高效率和高功率密度
場效應晶體管和封裝創新（包括熱增強型倒裝芯片 HotRod? 封裝中的集成驅動器）可實現高效率和高功率密度，且峰值電流高達 90A。
精確遙測和高級功能
我們的多相解決方案在低至 2°C 的溫度范圍內具有 3% 的精度，具有增強的跨電感穩壓器 (TLVR) 和電流共享功能，從而在高功率應用中實現可堆疊性。
靈活性、可擴展性和快速瞬態響應
我們的多相控制器采用 D-CAP+? 控制環路設計，可對上升和下降瞬態進行更快的響應，并通過可擴展的相位和環路數提供設計靈活性。
專為可靠性而構建
高級故障報告以及過流、過壓和過熱保護可提高可靠性。加速壽命測試鑒定可確保可持續性。
設計高性能、可靠且高效的多相內核電源解決方案
提高非對稱電路板設計的非線性控制和靈活性
我們的 D-CAP+? 控制架構可實現快速負載瞬態響應，從而提高電源設計的效率。
優勢：
- 恒定導通時間可適應輸入和輸出電壓。?
- 快速、準確的響應可實現動態電流共享。?
- 平均相電流和補償電壓的組合可調節補償環路的反饋電壓。
- 自然相位交錯和相位間恒定的電流平衡。
- 真正的電流模式控制，因為輸出電感不會影響電壓環路穩定性。
高性能 Xilinx 和 Intel FPGA 平臺的靈活電源參考設計
D-CAP+? Control for Multiphase Step-Down Voltage Regulators for Powering Microp
通過封裝優化改進了電氣性能和熱性能
我們采用 PowerStack? 和 HotRod? 封裝的智能功率級和電源模塊可以取代傳統的鍵合線 Quad Flat No-Lead 封裝和使用大型金屬芯片的堆疊。
優勢：
- 降低寄生環路電感，從而加快開關速度并提高效率。
- 改進了熱性能，尤其是在中心焊盤上使用大型芯片連接焊盤的情況下時。
封裝優化 - HotRod? QFN 和增強型 HotRod? QFN
實現多相電源解決方案的特色產品
用于先進的遙測和保護功能的智能驅動器，可實現簡化且可靠的設計
采用倒裝芯片 HotRod? 封裝的 NexFET? 技術功率級可提供優化的效率和功率密度。我們的功率級還集成了智能驅動器電路。
優勢：
- 逐周期溫度補償雙向電流檢測可確保在環境溫度下實現高達 2.5% 的精度，在過熱條件下實現高達 3% 的精度。
- 分辨率為 ±2°C 的溫度監控。
- 逐周期過流限制、負過流、高側短路和過熱檢測。
- 與某些 TI 控制器搭配使用時可增強握手和故障診斷功能。
實現多相電源解決方案的特色產品
了解特色應用
借助我們的多相直流/直流電源轉換解決方案，可縮小整體解決方案尺寸、改善瞬態響應和輸出電壓紋波、優化效率并增強系統保護。
優勢：
- PowerStack? 封裝技術可消除寄生效應，而大型接地引線框可提供出色的散熱性能。
- 逐周期精確溫度補償雙向電流檢測可改善系統監控。
- 高級故障監控可提高系統可靠性。
- 集成 MOSFET、智能驅動器和電流傳感器提供開關功能，因此可消除無源器件，進而簡化印刷電路板布局布線。
- 我們的雙相控制器采用的 D-CAP+? 技術可增強非線性控制，為非對稱電路板設計提供靈活性。
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特色資源
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95420RCB – 50A 峰值連續同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95411 – 65A 峰值連續電流同步降壓 NexFET? 功率級
為網絡交換機、路由器和智能 NIC 應用提供超過 1,000A 的電源解決方案，具有快速瞬態響應、更高的效率和更強的系統保護。
我們的大電流智能功率級具有主動共享功能，可堆疊使用，從而滿足更高的功率要求。
優勢：
- 主動電流共享倍相功率級技術可確保堆疊功率級之間實現精確的電流共享。
- PowerStack? 封裝技術可消除寄生效應，而大型接地引線框可提供出色的散熱性能。
- 我們的雙相控制器采用的 D-CAP+? 技術可增強非線性控制，為非對稱電路板設計提供靈活性。?
特色資源
- CSD95430 – 90A 峰值連續電流同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95420RCB – 50A 峰值連續同步降壓 NexFET? 智能功率級
適用于 AI 硬件加速器和圖形處理單元 (GPU) 的緊湊型高功率直流/直流電源解決方案，具有快速瞬態響應、高效率和高級系統保護功能。
我們靈活且可擴展的控制器包括大電流智能功率級和快速瞬態控制器。
優勢：
- 25V 場效應晶體管技術可支持高達 16V 的輸入電壓范圍。
- 逐周期溫度補償雙向電流檢測可改善系統監控。
- 高級故障監控可提高系統可靠性。
- 集成 MOSFET、智能驅動器和電流傳感器提供開關功能，因此可消除無源器件，進而簡化印刷電路板布局布線。
特色資源
- CSD96415 – 80A 峰值連續電流同步降壓 NexFET? 功率級
- CSD96416 – 50A 峰值連續電流同步降壓 NexFET? 智能功率級
- CSD95410RRB – 90A 峰值連續同步降壓 NexFET? 智能功率級
設計和開發資源
適用于具有 PMBus 接口的 D-CAP+? 降壓控制器的雙通道 (6+2/5+3) 評估模塊
借助 TPS53681EVM 評估模塊，用戶可在低電壓、高電流、降壓負載點 (POL) 應用中，通過隨附 PMBus 接口的配置、控制和監控功能，評估 TPS53681 控制器（采用 CSD95490 智能功率級）的工作特性。
該器件的工作電壓范圍為 4.5V 至 17V，可通過 PMBus 接口和我們的 Fusion Digital Power? Designer 軟件進行編程和監控。
TPSM831D31 8V 至 14V 輸入、雙輸出、120A + 40A PMBus 電源模塊評估模塊
具有 PMBus 接口 EVM 的雙通道（12+0、11+1 或 10+2 相）、D-CAP+ 降壓、直流/直流模擬
TPS536C7EVM 是供用戶評估 TPS536C7 控制器的評估模塊 (EVM)。
該控制器采用雙通道（12 + 0、11 + 1 或 10 + 2）相位配置，可通過 PMBus 接口進行 D-CAP+? 同步降壓無驅動器控制。該器件在 4.5V 至 17V 的電壓范圍內工作，可通過 PMBus 接口對控制器進行編程和監控。
此 EVM 使用 CSD95410 同步降壓 NexFET? 90A 智能功率級器件作為功率級。