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CSD95411

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65A 峰值連續(xù)電流同步降壓 NexFET? 功率級(jí)

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Catastrophic over-current protection, Cycle-by-cycle over-current protection, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Integrated ringing reduction, Negative over-current protection, Powerstack vertical FET integration, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Catastrophic over-current protection, Cycle-by-cycle over-current protection, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Integrated ringing reduction, Negative over-current protection, Powerstack vertical FET integration, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN-CLIP (RRB) 41 30 mm2 6 x 5

  • 峰值連續(xù)電流: 65A
  • 峰值效率(fSW = 600kHz,LOUT = 150nH):超過(guò) 94%
  • 工作頻率高:高達(dá) 1.75MHz
  • 二極管仿真功能
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流感應(yīng)
  • 模擬溫度輸出
  • 故障監(jiān)控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉開關(guān)
  • 用于擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
  • 高密度行業(yè)通用 5mm × 6mm QFN 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的 PCB 空間占用
  • 耐熱增強(qiáng)型頂部散熱
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛端子鍍層
  • 無(wú)鹵素

  • 峰值連續(xù)電流: 65A
  • 峰值效率(fSW = 600kHz,LOUT = 150nH):超過(guò) 94%
  • 工作頻率高:高達(dá) 1.75MHz
  • 二極管仿真功能
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流感應(yīng)
  • 模擬溫度輸出
  • 故障監(jiān)控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉開關(guān)
  • 用于擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
  • 高密度行業(yè)通用 5mm × 6mm QFN 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的 PCB 空間占用
  • 耐熱增強(qiáng)型頂部散熱
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛端子鍍層
  • 無(wú)鹵素

CSD95411NexFET™ 功率級(jí)是一款針對(duì)高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率 MOSFET 來(lái)完善功率級(jí)開關(guān)功能。該組合采用 5mm × 6mm 小型封裝,可實(shí)現(xiàn)高電流、高效率以及高速切換功能。該功率級(jí)還集成了準(zhǔn)確電流檢測(cè)和溫度感測(cè)功能,可簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 PCB 封裝可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并輕松完成總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

CSD95411NexFET™ 功率級(jí)是一款針對(duì)高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率 MOSFET 來(lái)完善功率級(jí)開關(guān)功能。該組合采用 5mm × 6mm 小型封裝,可實(shí)現(xiàn)高電流、高效率以及高速切換功能。該功率級(jí)還集成了準(zhǔn)確電流檢測(cè)和溫度感測(cè)功能,可簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 PCB 封裝可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并輕松完成總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

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* 數(shù)據(jù)表 CSD95411 同步降壓 NexFET 智能功率級(jí) 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2021年 9月 13日

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封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
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