TPS51363
- 輸入電壓范圍:3V 至 22V
- 輸出電壓范圍:0.6V 至 2V
- 8A 或 10A 集成 FET 轉換器
(請見) - 最少的外部組件數量
- 軟啟動時間可由外部電容器設定
- 開關頻率:400kHz 和 800kHz
- D-CAP2? 架構以實現高分子有機半導體固體電容器 (POSCAP) 和所有多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容器的使用
- 用于精確過流限制 (OCL) 保護的集成且支持溫度補償的低側導通電阻感測
- 電源良好輸出
OCL,過壓保護 (OVP),欠壓保護 (UVP) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護 - 熱關斷(非鎖存)
- 輸出放電功能
- 集成升壓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關
- 焊球間距 0.4mm,高度 1mm 的 28 引腳,3.5mm x 4.5mm,RVE,四方扁平無引線 (QFN) 封裝
TPS51363 是一款高壓輸入、同步轉換器,此轉換器帶有集成的 FET,基于 D-CAP2 控制拓撲結構,從而實現快速瞬態響應并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。 與 TI 領先的封裝技術組合在一起,TI 專有的 FET 技術為諸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 筆記本內存的單輸出電源軌或者廣泛應用中的任何負載點 (POL) 提供最高密度的解決方案。
此特性集包括 400kHz 和 800kHz 的開關頻率。 可由一個外部電容器設定的軟啟動時間。自動跳躍、預偏置啟動、集成引導加載開關、電源良好、使能和一整套的故障保護機制,其中包括 OCL,UVP,OVP 5V UVLO 和熱關斷。
它采用 3.5mm x 4.5mm,焊球間距 0.4mm,28 引腳 QFN (RVE) 封裝,額定運行溫度范圍為 -10°C 至 85°C。
技術文檔
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查看全部 1 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | 22V 輸入,8A 或10A 轉換器此轉換器具有集成場效應晶體管(FET) 數據表 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2013年 8月 9日 |
設計和開發
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仿真模型
TPS51363 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)
SLUM367A.ZIP (57 KB) - PSpice Model
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-CLIP (RVE) | 28 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點