TPS51367

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具有超低靜態電流的 3V 至 22V、12A 同步降壓轉換器

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功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
TPS51397A 正在供貨 4.5V 至 24V 輸入、10A 同步降壓穩壓器 Higher efficiency and D-CAP3, lower output current.

產品詳情

Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 12 Vin (max) (V) 22 Vin (min) (V) 3 Vout (max) (V) 2 Vout (min) (V) 0.6 Features Adjustable soft start, Enable, Light-load efficiency, Output discharge, Power good, Synchronous rectification Control mode D-CAP2 Switching frequency (min) (kHz) 400 Switching frequency (max) (kHz) 800 Operating temperature range (°C) -10 to 85 Iq (typ) (μA) 100 Duty cycle (max) (%) 87 Type Converter
Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 12 Vin (max) (V) 22 Vin (min) (V) 3 Vout (max) (V) 2 Vout (min) (V) 0.6 Features Adjustable soft start, Enable, Light-load efficiency, Output discharge, Power good, Synchronous rectification Control mode D-CAP2 Switching frequency (min) (kHz) 400 Switching frequency (max) (kHz) 800 Operating temperature range (°C) -10 to 85 Iq (typ) (μA) 100 Duty cycle (max) (%) 87 Type Converter
VQFN-CLIP (RVE) 28 15.75 mm2 4.5 x 3.5
  • 輸入電壓范圍：3V 至 22V
  • 輸出電壓范圍：0.6V 至 2V
  • 12A 集成 FET 轉換器
  • 最少的外部組件數量
  • ULQ?-100 模式運行以實現系統待機期間的長電池使用壽命
  • 軟啟動時間可由外部電容器設定
  • 開關頻率：400kHz 和 800kHz
  • D-CAP2? 架構以實現高分子有機半導體固體電容器 (POSCAP) 和所有多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容器的使用
  • 用于精確過流限制 (OCL) 保護的集成且支持溫度補償的低側導通電阻感測
  • 電源良好輸出 OCL，過壓保護 (OVP)，欠壓保護 (UVP) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
  • 熱關斷（非鎖存）
  • 輸出放電功能
  • 集成升壓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關
  • 焊球間距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引腳，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
  • 輸入電壓范圍：3V 至 22V
  • 輸出電壓范圍：0.6V 至 2V
  • 12A 集成 FET 轉換器
  • 最少的外部組件數量
  • ULQ?-100 模式運行以實現系統待機期間的長電池使用壽命
  • 軟啟動時間可由外部電容器設定
  • 開關頻率：400kHz 和 800kHz
  • D-CAP2? 架構以實現高分子有機半導體固體電容器 (POSCAP) 和所有多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容器的使用
  • 用于精確過流限制 (OCL) 保護的集成且支持溫度補償的低側導通電阻感測
  • 電源良好輸出 OCL，過壓保護 (OVP)，欠壓保護 (UVP) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
  • 熱關斷（非鎖存）
  • 輸出放電功能
  • 集成升壓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關
  • 焊球間距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引腳，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平無引線 (QFN) 封裝

TPS51367 是一款高壓輸入、同步轉換器，此轉換器帶有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓撲結構，從而實現快速瞬態響應并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。 與 TI 領先的封裝技術組合在一起，TI 專有的 FET 技術為諸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 筆記本內存的單輸出電源軌或者廣泛應用中的任何負載點 (POL) 提供最高密度的解決方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以實現低偏置電流（低功率模式下為 100µA，由 LP# 啟用）。 這個特性對于延長系統待機模式中的電池使用壽命非常有幫助。

此特性集包括 800kHz 的開關頻率。 可由一個外部電容器設定的軟啟動時間。自動跳躍、預偏置啟動、集成引導加載開關、電源良好、使能和一整套的故障保護機制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和熱關斷。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球間距 0.4mm，28 引腳 QFN (RVE) 封裝，額定運行溫度范圍為 -10°C 至 85°C。

TPS51367 是一款高壓輸入、同步轉換器，此轉換器帶有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓撲結構，從而實現快速瞬態響應并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。 與 TI 領先的封裝技術組合在一起，TI 專有的 FET 技術為諸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 筆記本內存的單輸出電源軌或者廣泛應用中的任何負載點 (POL) 提供最高密度的解決方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以實現低偏置電流（低功率模式下為 100µA，由 LP# 啟用）。 這個特性對于延長系統待機模式中的電池使用壽命非常有幫助。

此特性集包括 800kHz 的開關頻率。 可由一個外部電容器設定的軟啟動時間。自動跳躍、預偏置啟動、集成引導加載開關、電源良好、使能和一整套的故障保護機制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和熱關斷。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球間距 0.4mm，28 引腳 QFN (RVE) 封裝，額定運行溫度范圍為 -10°C 至 85°C。

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設計和開發

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仿真模型

TPS51367 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

SLUM377A.ZIP (56 KB) - PSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN-CLIP (RVE) 28 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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