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LMQ62440-Q1

正在供貨

汽車類 3V 至 36V、4A、低噪聲固定頻率同步降壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Topology Buck Iout (max) (A) 4 Vin (max) (V) 36 Vin (min) (V) 3 Vout (max) (V) 34 Vout (min) (V) 1 Features Enable, Forced PWM, Frequency synchronization, Light Load Efficiency, Over Current Protection, Power good, Soft Start Fixed, Spread Spectrum, Synchronous Rectification, Wettable flanks package EMI features Integrated capacitors, Low parasitic Hotrod packaging, Spread Spectrum Control mode current mode Switching frequency (min) (kHz) 2200 Switching frequency (max) (kHz) 2200 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 150 Iq (typ) (μA) 7 Duty cycle (max) (%) 98 Type Converter
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VQFN-HR (RJR) 14 14 mm2 4 x 3.5
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 提供功能安全
  • 針對超低 EMI 要求進行了優(yōu)化
    • 符合 CISPR25 5 類標準
    • Hotrod? 封裝可更大限度地減少開關(guān)節(jié)點振鈴
    • 內(nèi)部旁路電容器可降低 EMI
    • 并行輸入路徑可更大限度減少寄生電感
    • 展頻可降低峰值發(fā)射
    • 可調(diào)節(jié)開關(guān)節(jié)點上升時間
  • 專用于條件嚴苛的汽車應(yīng)用
    • 支持 42V 負載突降
    • 在 4A 負載下具有 0.4V 壓降(典型值)
  • 可在所有負載下進行高效電源轉(zhuǎn)換
    • 在 13.5VIN、3.3VOUT 下具有 7μA 的無負載電流
    • 在 1mA、13.5VIN、5VOUT 下 PFM 效率為 90%
    • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻
      • RDS_ON_HS = 41m?(典型值)
      • RDS_ON_LS = 21m?(典型值)
  • 具有用于提升效率的外部偏置選項
  • 與以下器件引腳兼容:
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 提供功能安全
  • 針對超低 EMI 要求進行了優(yōu)化
    • 符合 CISPR25 5 類標準
    • Hotrod? 封裝可更大限度地減少開關(guān)節(jié)點振鈴
    • 內(nèi)部旁路電容器可降低 EMI
    • 并行輸入路徑可更大限度減少寄生電感
    • 展頻可降低峰值發(fā)射
    • 可調(diào)節(jié)開關(guān)節(jié)點上升時間
  • 專用于條件嚴苛的汽車應(yīng)用
    • 支持 42V 負載突降
    • 在 4A 負載下具有 0.4V 壓降(典型值)
  • 可在所有負載下進行高效電源轉(zhuǎn)換
    • 在 13.5VIN、3.3VOUT 下具有 7μA 的無負載電流
    • 在 1mA、13.5VIN、5VOUT 下 PFM 效率為 90%
    • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻
      • RDS_ON_HS = 41m?(典型值)
      • RDS_ON_LS = 21m?(典型值)
  • 具有用于提升效率的外部偏置選項
  • 與以下器件引腳兼容:

LMQ62440-Q1 是一款具有集成旁路電容器的高性能直流/直流同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件具有集成式高側(cè)和低側(cè) MOSFET,能夠在 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)提供高達 4A 的輸出電流;可耐受 42V 電壓,支持持續(xù)時間為 400 ms 的負載突降。該器件可對壓差進行軟恢復(fù),因此無需對輸出進行過沖。

該器件專門設(shè)計用于降低 EMI。該器件具有假隨機展頻、集成旁路電容器、可調(diào)節(jié) SW 節(jié)點上升時間和低 EMI,并采用具有低開關(guān)節(jié)點振鈴和優(yōu)化型引腳排列的 VQFN-HR 封裝,易于使用。開關(guān)頻率可在 200kHz 至 2.2MHz 范圍內(nèi)同步,從而避開噪聲敏感頻段。另外,可以選擇頻率,從而在低工作頻率下提高效率,或在高工作頻率下縮小解決方案尺寸。

自動模式可在輕負載運行時進行頻率折返,實現(xiàn)僅 7µA(典型值)的空載電流消耗和高輕負載效率。PWM 和 PFM 模式之間無縫轉(zhuǎn)換,以及極低的 MOSFET 導(dǎo)通電阻和外部偏置輸入,均確保在整個負載范圍內(nèi)實現(xiàn)卓越的效率。

該器件采用具有可濕性側(cè)面的 14 引腳 VQFN-HR 封裝。電氣特性額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 +150°C。如需其他資源,請參閱相關(guān)文檔

LMQ62440-Q1 是一款具有集成旁路電容器的高性能直流/直流同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件具有集成式高側(cè)和低側(cè) MOSFET,能夠在 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)提供高達 4A 的輸出電流;可耐受 42V 電壓,支持持續(xù)時間為 400 ms 的負載突降。該器件可對壓差進行軟恢復(fù),因此無需對輸出進行過沖。

該器件專門設(shè)計用于降低 EMI。該器件具有假隨機展頻、集成旁路電容器、可調(diào)節(jié) SW 節(jié)點上升時間和低 EMI,并采用具有低開關(guān)節(jié)點振鈴和優(yōu)化型引腳排列的 VQFN-HR 封裝,易于使用。開關(guān)頻率可在 200kHz 至 2.2MHz 范圍內(nèi)同步,從而避開噪聲敏感頻段。另外,可以選擇頻率,從而在低工作頻率下提高效率,或在高工作頻率下縮小解決方案尺寸。

自動模式可在輕負載運行時進行頻率折返,實現(xiàn)僅 7µA(典型值)的空載電流消耗和高輕負載效率。PWM 和 PFM 模式之間無縫轉(zhuǎn)換,以及極低的 MOSFET 導(dǎo)通電阻和外部偏置輸入,均確保在整個負載范圍內(nèi)實現(xiàn)卓越的效率。

該器件采用具有可濕性側(cè)面的 14 引腳 VQFN-HR 封裝。電氣特性額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 +150°C。如需其他資源,請參閱相關(guān)文檔

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設(shè)計和開發(fā)

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評估板

LMQ62440EVM — 36V 輸入、低 EMI、4A/5V 輸出、同步 2.1MHz 降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊

LMQ62440EVM 評估模塊 (EVM) 是一款經(jīng)全面封裝測試的電路,用于評估 LMQ62440 同步降壓轉(zhuǎn)換器。? LMQ62440 采用具有集成電容器的小尺寸解決方案,提供出色的效率、低 Iq 和低 EMI。
用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

LMQ62440APP-Q1 PSpice Transient Model

SNVMC42.ZIP (129 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMQ62440BPP-Q1 PSpice Transient Model

SNVMC44.ZIP (298 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMQ62440CPP-Q1 PSpice Transient Model

SNVMC43.ZIP (292 KB) - PSpice Model
設(shè)計工具

SNVR489 LMQ62440EVM-2MHz Design Files

支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器(集成 FET)
LMQ62440-Q1 汽車類 3V 至 36V、4A、低噪聲固定頻率同步降壓轉(zhuǎn)換器
硬件開發(fā)
評估板
LMQ62440EVM 36V 輸入、低 EMI、4A/5V 輸出、同步 2.1MHz 降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN-HR (RJR) 14 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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