數據表
UCC28C59-Q1
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 應用的欠壓鎖定選項
-
30V VDD 絕對最大電壓
- 1MHz 最大固定頻率工作
- 50μA 啟動電流,最大值 75μA
- 低工作電流:1.3mA(f OSC = 52kHz)
- 高工作 T J:150°C(最大值)
- 35ns 快速逐周期過流限制
- 峰值驅動電流為 ±1A
- 軌到軌輸出:
- 25ns 上升時間
- 20ns 下降時間
- 精度為 ±1% 的 2.5V 誤差放大器基準
-
與 UCC28C4x-Q1 引腳對引腳兼容的可直接替代產品
- 提供功能安全
- 可幫助進行功能安全系統設計的文檔
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
- 器件溫度等級 1:-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分類等級 2:±2kV
- 器件 CDM 分類等級 C4B:750 V
UCC28C5x-Q1 系列器件為高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅動各種應用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更穩健的版本。
除持續支持 Si MOSFET 的現有 UVLO 閾值 (UCC28C50-55-Q1) 外,UCC28C5x-Q1 系列還具有可確保 SiC MOSFET 可靠運行的新 UVLO 閾值 (UCC28C56-59-Q1)。
VDD 絕對最大額定電壓從 20V 增加至 30V,便于以理想方式驅動 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的柵極,同時可無需使用外部 LDO。
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技術文檔
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查看全部 5 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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| * | 數據表 | UCC28C5x-Q1 適用于 Si 和 SiC MOSFET 的汽車類低功耗、電流模式、高性能 PWM 控制器 數據表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 3月 27日 |
| 白皮書 | 用于 HEV 和 EV 牽引逆變器的隔離式輔助電源架構 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 1月 22日 | |
| 用戶指南 | 使用 UCC28C56EVM-066 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 12月 19日 | |
| 功能安全信息 | UCC28C5x-Q1 Funcitonal safety FIT rate, FMD, and pin FMA | PDF | HTML | 2022年 9月 12日 | |||
| 應用手冊 | High Density Auxiliary Power Supply Using a SiC MOSFET for 800-V Traction Invert | PDF | HTML | 2022年 7月 6日 |
設計和開發
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評估板
UCC28C56EVM-066 — 適用于 UCC28C56H-Q1 初級側控制(使用 AUX 繞組)反激式穩壓器的評估模塊
UCC28C56EVM-066 是一款適用于 EV 和 HEV 汽車動力總成的高效初級側控制(使用 AUX 繞組)反激式輔助電源。該設計可為 800V 電池系統提供 15.2VTYP 40W 輸出,在 125V 至 1000V 的輸入電壓范圍內提供 40W 功率。確切輸出電壓取決于負載。該設計輸入為 40V 至 125V,可提供功率為 20W。該 EVM 采用 1700V 碳化硅 (SiC) MOSFET,非常適合 800V 電池系統。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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