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UCC27611

正在供貨

具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (μs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (μs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
WSON (DRV) 6 4 mm2 2 x 2
  • 增強模式氮化鎵場效應晶體管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 單電源供電電壓范圍
  • 5V的驅動電壓 VREF
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動
  • 1? 和 0.35? 上拉和下拉電阻（最大限度提升對高轉換率 dV 和 dt 的抗擾度）
  • 分離輸出配置（可實現針對各個 FET 的導通和關斷優化）
  • 傳輸延遲小（典型值為 14ns）
  • 快速上升和下降時間（典型值分別為 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入（不受電源電壓影響，很容易連接至數字和模擬控制器）
  • 雙輸入設計實現了靈活驅動（反相配置和同相配置均受支持）
  • 當輸入懸空時輸出保持在低電平
  • VDD 欠壓鎖定 (UVLO)
  • 采用與 eGANFET 兼容的優化引腳分布，方便進行布局布線
  • 具有外露散熱焊盤和接地焊盤的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸無引線 (SON)-6 封裝（最大限度降低寄生電感以減少柵極振鈴）
  • 工作溫度范圍：-40°C 至 140°C
  • 增強模式氮化鎵場效應晶體管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 單電源供電電壓范圍
  • 5V的驅動電壓 VREF
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動
  • 1? 和 0.35? 上拉和下拉電阻（最大限度提升對高轉換率 dV 和 dt 的抗擾度）
  • 分離輸出配置（可實現針對各個 FET 的導通和關斷優化）
  • 傳輸延遲小（典型值為 14ns）
  • 快速上升和下降時間（典型值分別為 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入（不受電源電壓影響，很容易連接至數字和模擬控制器）
  • 雙輸入設計實現了靈活驅動（反相配置和同相配置均受支持）
  • 當輸入懸空時輸出保持在低電平
  • VDD 欠壓鎖定 (UVLO)
  • 采用與 eGANFET 兼容的優化引腳分布，方便進行布局布線
  • 具有外露散熱焊盤和接地焊盤的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸無引線 (SON)-6 封裝（最大限度降低寄生電感以減少柵極振鈴）
  • 工作溫度范圍：-40°C 至 140°C

UCC27611 是一款針對 5V 驅動而進行優化的單通道、高速、柵極驅動器，它專門用來對增強模式 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 被內部線性穩壓器精確穩壓至 5V。UCC27611 提供 4A 拉電流和 6A 灌電流的非對稱軌到軌峰值電流驅動能力。憑借分離輸出配置，可根據 FET 優化其導通和關斷時間。具有最低寄生電感的封裝和引腳分配減少了上升和下降時間并限制了振鈴。此外，具有最小容差和變化的短傳播延遲可實現高頻時的有效運行。1Ω 和 0.35Ω 電阻提升了針對高轉換率 dV 和 dt 所致硬開關的抗擾度。

不受 VDD 輸入信號閾值的影響確保了 TTL 和 CMOS 低壓邏輯兼容性。出于安全方面的考慮，當輸入引腳處于懸空狀態時，內部輸出上拉和下拉電阻將輸出保持在低電平。VREF 引腳上的內部電路具有欠壓鎖定功能，可在 VREF 電源電壓處于工作范圍內之前，將輸出保持在低電平。UCC27611 采用具有外部散熱焊盤和接地焊盤的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封裝 (DRV)，提升了封裝功率處理能力。UCC27611 運行在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內。

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不受 VDD 輸入信號閾值的影響確保了 TTL 和 CMOS 低壓邏輯兼容性。出于安全方面的考慮，當輸入引腳處于懸空狀態時，內部輸出上拉和下拉電阻將輸出保持在低電平。VREF 引腳上的內部電路具有欠壓鎖定功能，可在 VREF 電源電壓處于工作范圍內之前，將輸出保持在低電平。UCC27611 采用具有外部散熱焊盤和接地焊盤的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封裝 (DRV)，提升了封裝功率處理能力。UCC27611 運行在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內。
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設計和開發

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評估板

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN 低側驅動器和 GaN FET 激光雷達評估模塊

LMG1020EVM-006 是小型易用功率級，適用于激光雷達激光驅動。EVM 包括集成電阻負載（不包括激光）并接受短脈沖輸入，可以進行緩沖（并進一步縮短）或直接傳遞到功率級。該板可展示適用于高分辨率激光雷達和 ToF 系統的納秒級激光脈沖。
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評估板

UCC27611OLEVM-203 — UCC27611 柵極驅動器開環評估模塊

The UCC27611OLEVM-203 aids in the evaluation of high-speed, single channel, low-side driver capable of driving eGANFETs with a regulated 5-V optimized output. The EVM is designed to drive a capacitive load on the output of the UCC27611 device, with connectors provided to offer flexibility to bring (...)
用戶指南: PDF
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仿真模型

UCC27611 PSpice Transient Model (Rev. C)

SLUM339C.ZIP (45 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. E)

SLUM362E.TSC (761 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. B)

SLUM363B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

UCC27611 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM487B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

SLURB16 — UCC27611 Schematic Review Template

支持的產品和硬件

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產品
低側驅動器
UCC27611 — 具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

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參考設計

PMP22951 — 具有有源鉗位的 54V、3kW 相移全橋參考設計

該參考設計是一款基于 GaN 的 3kW 相移全橋 (PSFB) 轉換器。此設計在次級側使用了有源鉗位來最大限度地減小同步整流器 (SR) MOSFET 上的電壓應力，從而支持使用具有更優品質因數 (FOM) 的較低電壓等級 MOSFET。PMP22951 在初級側使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通過使用 TMS320F280049C 實時微控制器，可實現 PSFB 控制。PSFB 轉換器在 140kHz 開關頻率下運行，可在 385V 輸入下實現 97.45% 的峰值效率。
測試報告: PDF
參考設計

TIDA-00785 — 隔離式 GaN 驅動器參考設計

此參考設計包含一個增強型雙通道數字隔離器、一個 GaN 柵極驅動器和多個隔離式電源。這一緊湊型參考設計旨在控制電源、直流/直流轉換器、同步整流、光伏逆變器和電機控制中的 GaN。柵極驅動器采用基于開環推挽式拓撲的電源，這為 PCB 布線提供了靈活性。TIDA-00785 中使用的推挽式變壓器驅動器以 300kHz 的頻率運行，可幫助減小隔離變壓器的尺寸，從而實現緊湊型電源解決方案。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian

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  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
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