計算工具
UCC27532
- 低成本柵極驅動器（為驅動 FET 和 IGBT 提供理想解決方案）
- 分立式晶體管對驅動器的出色替代產品（提供與控制器的簡便對接）
- CMOS 兼容輸入邏輯閾值（在 VDD 大于 18V 時變為固定值）
- 分離輸出可實現獨立接通和關閉調節
- 通過固定 TTL 兼容型閾值啟用
- 在 18V VDD 下具有 2.5A 的高峰值驅動拉電流和 5A 的峰值驅動灌電流
- 從 10V 到高達 35V 的寬 VDD 范圍
- 輸入引腳可承受低于接地電壓且高達 -5V 的直流電壓
- 當輸入懸空時或在 VDD UVLO 期間，輸出保持低電平
- 短暫傳播延遲（典型值為 17ns）
- 快速上升和下降時間（1800pF 負載時的典型值分別為 15ns 和 7ns）
- 欠壓閉鎖 (UVLO)
- 用作高側或低側驅動器（如果采用適當的偏置和信號隔離設計）
- 低成本、節省空間的 6 引腳 DBV (SOT-23) 封裝
- 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
UCC27532 是一款單通道、高速、柵極驅動器，此驅動器可借助于高達 2.5A 拉電流和 5A 灌電流（非對稱驅動）峰值電流來有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和 IGBT 電源開關。強勁的非對稱驅動中的吸收能力提升了寄生米勒 (Miller) 接通效應抗擾度。UCC27532 器件還特有一個分離輸出配置，在此配置中柵極驅動電流從 OUTH 引腳拉出并從 OUTL 引腳被灌入。這個引腳安排使得用戶能夠分別在 OUTH 和 OUTL 引腳上采用獨立的接通和關閉電阻器并且能很輕易地控制開關的轉換率。
此驅動器具有軌到軌驅動能力和典型值為 17ns 的極小傳播延遲。
UCC27532DBV 具有 CMOS 輸入閾值，此閾值在 VDD 低于或等于 18V 時介于比 VDD 高 55% 的電壓值與比 VDD 低 45% 的電壓值范圍內。當 VDD 高于 18V 時，輸入閾值保持在其最大水平上。
此驅動器具有支持固定 TTL 兼容閾值的 EN 引腳。EN 被內部上拉；將 EN 下拉為低電平禁用驅動器，而將其保持打開可提供正常運行。EN 引腳可被用作一個額外輸入，其性能與 IN 引腳一樣。
將驅動器的輸入引腳保持開狀態將把輸出保持為低電平。驅動器的邏輯運行方式被顯示在應用圖、時序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。
VDD 引腳上的內部電路提供一個欠壓閉鎖功能，此功能在 VDD 電源電壓處于運行范圍內之前將輸出保持為低電平。
UCC27532 驅動器采用 6 引腳標準 SOT-23 (DBV) 封裝。此器件在 -40°C 至 140°C 的寬運行溫度范圍運行。
技術文檔
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查看全部 13 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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| * | 數據表 | 2.5A 和 5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 單柵極驅動器 數據表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 10月 8日 |
| 應用手冊 | 使用單輸出柵極驅動器實現高側或低側驅動 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 9月 13日 | |
| 應用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應用簡報 | 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應用簡報 | Implementing a Bipolar Gate Drive for Low-Side IGBTs and SiC FETs in Motor Drive | 2019年 10月 10日 | ||||
| 應用簡報 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文獻資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 應用手冊 | UCC27531 35-V Gate Driver for SiC MOSFET Applications (Rev. A) | 2018年 5月 8日 | ||||
| 更多文獻資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應用簡報 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 | ||||
| EVM 用戶指南 | Using the UCC27532EVM-538 (Rev. A) | 2013年 8月 22日 |
設計和開發
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