TXS4558

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雙 SIM 卡電源，配備電平轉(zhuǎn)換器和專用雙通道 LDO

產(chǎn)品詳情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • VCC的電壓范圍 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的電壓范圍 2.3 V 至 5.5 V
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 50-mA LDO 調(diào)節(jié)器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可選輸出電壓
    • 超低壓降: 在100 mV (最大值) 電壓下 50 mA
  • 通過GPIO 接口與基帶處理器實現(xiàn)控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分離時鐘停止模式
  • ESD 保護等級超過 JESD 22 標準的要求
    • 2000-V 人體模式 (A114-B)
    • 500-V 充電設備模式（C101）
    • 8kV HBM 用于 SIM 引腳
  • 封裝
    • 20-引腳 QFN (3 mm x 3 mm)
  • 電平轉(zhuǎn)換器
    • VCC的電壓范圍 1.65 V 至 3.3 V
    • VBATT的電壓范圍 2.3 V 至 5.5 V
  • 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
    • 50-mA LDO 調(diào)節(jié)器具有可用的
    • 1.8-V 或者 2.95-V 可選輸出電壓
    • 超低壓降: 在100 mV (最大值) 電壓下 50 mA
  • 通過GPIO 接口與基帶處理器實現(xiàn)控制和通信
  • 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分離時鐘停止模式
  • ESD 保護等級超過 JESD 22 標準的要求
    • 2000-V 人體模式 (A114-B)
    • 500-V 充電設備模式（C101）
    • 8kV HBM 用于 SIM 引腳
  • 封裝
    • 20-引腳 QFN (3 mm x 3 mm)

TXS4558 是一款完整的雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡相連，以存儲移動手機應用程序的數(shù)據(jù)。 這是一款定制器件，用于把單個 SIM/UICC 接口擴展至能夠支持兩個 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

該器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包含能夠支持 Class B (2.95 V) 與 Class C (1.8 V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器、低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器，可在 2.95 V Class B 與 1.8 V Class C 接口之間選擇輸出電壓。 簡單GPIO輸入用于在兩個SIM卡之間進行交換并使其進入不同模式。 電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳。 VCC 負責設定用于基帶接口的基準，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作電壓。 VSIM1 和 VSIM2 被設置為
1.8V 或 2.95V，各由一個獨立的內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向B側(cè)電路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。

此外，TXS4558 還根據(jù) SIM 卡的 ISO 7816-3 規(guī)范為 SIM 卡引腳整合了關斷定序功能。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8 kV HBM 保護，而且還可為所有其它引腳提供標準 2kV HBM 保護。

TXS4558 是一款完整的雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡相連，以存儲移動手機應用程序的數(shù)據(jù)。 這是一款定制器件，用于把單個 SIM/UICC 接口擴展至能夠支持兩個 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。

該器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標準。 它包含能夠支持 Class B (2.95 V) 與 Class C (1.8 V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器、低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器，可在 2.95 V Class B 與 1.8 V Class C 接口之間選擇輸出電壓。 簡單GPIO輸入用于在兩個SIM卡之間進行交換并使其進入不同模式。 電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳。 VCC 負責設定用于基帶接口的基準，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作電壓。 VSIM1 和 VSIM2 被設置為
1.8V 或 2.95V，各由一個獨立的內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向B側(cè)電路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡輸出高達 50mA 的電流。

此外，TXS4558 還根據(jù) SIM 卡的 ISO 7816-3 規(guī)范為 SIM 卡引腳整合了關斷定序功能。 該器件不但可為 SIM 引腳提供 8 kV HBM 保護，而且還可為所有其它引腳提供標準 2kV HBM 保護。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
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用戶指南 TXS4558EVM 2011年 9月 22日

設計和開發(fā)

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評估板

TXS4558EVM — TXS4558 評估模塊

德州儀器 (TI) TXS4558 評估模塊 (EVM) 旨在展示 TXS4558。TXS4558 是一款完整的雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡相連，以存儲移動手機應用的數(shù)據(jù)。此器件面向 GPIO 控制和通信，其中 GPIO 信號用于在 SIM 和 SIM 模式之間進行切換，從而允許單個接口支持兩個 SIM。

此 EVM 包括兩個用于 SIM 卡的插座以及連接所有器件信號的測試點。跳線、連接器和測試點均標有器件信號名稱。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TXS4558 IBIS Model

SLLM155.ZIP (48 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓

視頻