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TPSI2140-Q1

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具有 2mA 雪崩額定值的汽車級 1200V、50mA 隔離開關

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新 TPSI2240-Q1 預發布 具有增強隔離和雪崩防護功能的汽車級 1200V、50mA 隔離開關 1200V, 50mA isolated switch with reinforced isolation and avalanche protection, improved emissions

產品詳情

FET Internal Number of channels 1 Switching voltage (max) (V) 1200 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Switching voltage (max) (V) 1200 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Basic Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 符合汽車應用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對過壓條件下的可靠性認證進行設計和認證，包括系統級電介質耐壓測試 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脈沖），1mA（60s 脈沖）
    • 1200V 關斷電壓
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700μs
  • 低初級側電源電流
    • 9mA 導通狀態電流
    • 3.5 μA 關斷狀態電流
  • 功能安全型
    • 可幫助進行 ISO 26262 和 IEC 61508 系統設計的 文檔
  • 穩健可靠的隔離柵：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作電壓下預計壽命超過 26 年
    • 隔離額定值 V ISO 高達 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高達 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝 ，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙 ≥ 6mm（開關端子之間）
  • 安全相關認證
    • （計劃）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （計劃）UL 1577 組件認證計劃
  • 符合汽車應用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對過壓條件下的可靠性認證進行設計和認證，包括系統級電介質耐壓測試 (Hi-Pot)
      • I AVA = 2mA（5s 脈沖），1mA（60s 脈沖）
    • 1200V 關斷電壓
    • R ON = 130Ω (T J = 25°C)
    • T ON，T OFF < 700μs
  • 低初級側電源電流
    • 9mA 導通狀態電流
    • 3.5 μA 關斷狀態電流
  • 功能安全型
    • 可幫助進行 ISO 26262 和 IEC 61508 系統設計的 文檔
  • 穩健可靠的隔離柵：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作電壓下預計壽命超過 26 年
    • 隔離額定值 V ISO 高達 3750V RMS/5300V DC
    • 峰值浪涌 V IOSM 高達 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝 ，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙 ≥ 6mm（開關端子之間）
  • 安全相關認證
    • （計劃）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （計劃）UL 1577 組件認證計劃

TPSI2140-Q1 是一款 隔離式固態繼電器，專為高電壓汽車和工業應用而設計。 TPSI2140-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術和內部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側電源。

該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了 一個失效防護 EN 引腳，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數應用中，器件的 VDD 引腳應連接到 5V 至 20V 的系統電源，并且器件的 EN 引腳應由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅動。在其他應用中，VDD 和 EN 引腳可直接由系統電源或 GPIO 輸出驅動。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光繼電器解決方案通常所需的其他外部元件，例如電阻器和/或低側開關。

次級側都包含背對背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關斷電壓為 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩穩健性和熱敏感封裝設計使其能夠可靠地支持系統級電介質耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。

TPSI2140-Q1 是一款 隔離式固態繼電器，專為高電壓汽車和工業應用而設計。 TPSI2140-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術和內部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側電源。

該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了 一個失效防護 EN 引腳，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數應用中，器件的 VDD 引腳應連接到 5V 至 20V 的系統電源，并且器件的 EN 引腳應由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅動。在其他應用中，VDD 和 EN 引腳可直接由系統電源或 GPIO 輸出驅動。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光繼電器解決方案通常所需的其他外部元件，例如電阻器和/或低側開關。

次級側都包含背對背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關斷電壓為 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩穩健性和熱敏感封裝設計使其能夠可靠地支持系統級電介質耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。
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技術文檔

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設計和開發

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評估板

TPSI2140Q1EVM — TPSI2140-Q1 具有 2mA 雪崩額定值的 1200V 50mA 隔離開關評估模塊

TPSI2140Q1EVM 評估模塊是包含多個測試點和跳線的兩銅層板，用于全面評估器件的功能。

用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

TPSI2140-Q1 PSpice Model

SLVMEA9.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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模擬工具

CMSO-3P-BCS — comemso 電池電芯仿真器

電池電芯仿真器 (BCS) 是任何測試電池管理系統 (BMS) 的核心。可以在電芯級別對 BMS 所有必需的狀態和故障進行仿真。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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TIDA-010232 — 高壓電動汽車充電和太陽能中的絕緣監測 AFE 參考設計

此參考設計采用基于電橋的直流絕緣監測 (DC-IM) 方法，可實現精確的對稱和非對稱絕緣漏電檢測機制，以及隔離電阻檢測機制。我們推出了新一代隔離放大器和開關，無需熱側外部電源即可實現隔離。因此，MCU 可以從冷側為隔離器件供電。絕緣監測診斷可直接由功率轉換或充電協議 MCU 控制。
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設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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