TPS65295

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4.5V 至 18V 輸入電壓、完整 DDR4 存儲器電源解決方案

產品詳情

DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓轉換器 (VDDQ)
    • 輸入電壓范圍：4.5V 至 18V
    • 輸出電壓固定為 1.2V
    • D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態響應
    • 持續輸出電流：8A
    • 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
    • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 內部電源開關
    • 600kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動：1.6ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
  • 同步降壓轉換器 (VPP)
    • 輸入電壓范圍：3V 至 5.5V
    • 輸出電壓固定為 2.5V
    • D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態響應
    • 持續輸出電流：1A
    • 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
    • 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 內部電源開關
    • 580kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動：1ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A 持續灌電流和拉電流
    • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
    • 在 S3 狀態下支持高阻態輸出
    • ±30mV VTT 輸出精度（直流 + 交流）
  • 緩沖基準 (VTTREF)
    • 經緩沖的低噪聲 ±10mA 功能
    • 0.8% 輸出精度
  • 低靜態電流：150μA
  • 電源正常指示器
  • 輸出放電功能
  • 加電和斷電排序控制
  • 非鎖存 OT 和 UVLO 保護
  • 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod?VQFN 封裝
  • 同步降壓轉換器 (VDDQ)
    • 輸入電壓范圍：4.5V 至 18V
    • 輸出電壓固定為 1.2V
    • D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態響應
    • 持續輸出電流：8A
    • 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
    • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 內部電源開關
    • 600kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動：1.6ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
  • 同步降壓轉換器 (VPP)
    • 輸入電壓范圍：3V 至 5.5V
    • 輸出電壓固定為 2.5V
    • D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態響應
    • 持續輸出電流：1A
    • 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
    • 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 內部電源開關
    • 580kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動：1ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A 持續灌電流和拉電流
    • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
    • 在 S3 狀態下支持高阻態輸出
    • ±30mV VTT 輸出精度（直流 + 交流）
  • 緩沖基準 (VTTREF)
    • 經緩沖的低噪聲 ±10mA 功能
    • 0.8% 輸出精度
  • 低靜態電流：150μA
  • 電源正常指示器
  • 輸出放電功能
  • 加電和斷電排序控制
  • 非鎖存 OT 和 UVLO 保護
  • 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod?VQFN 封裝

TPS65295 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 存儲器系統提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標準中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉換器（VPP 和 VDDQ）與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 開關頻率的 D-CAP3™模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下實現易于使用的快速瞬變并支持陶瓷輸出電容器。

VTTREF 跟蹤 ½ VDDQ 的精度優于 0.8%。VTT 可同時提供 1A 持續灌電流和拉電流功能，而僅需 10µF 的陶瓷輸出電容。

TPS65295 可提供豐富的功能和卓越的電源性能。它支持靈活功耗狀態控制，將 VTT 置于高阻抗狀態（處于 S3）并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電。另外還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關斷保護。此器件采用熱增強型 18 引腳 HotRod™VQFN 封裝，額定結溫范圍為 –40°C 至 125°C。

TPS65295 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 存儲器系統提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標準中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉換器（VPP 和 VDDQ）與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 開關頻率的 D-CAP3™模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下實現易于使用的快速瞬變并支持陶瓷輸出電容器。

VTTREF 跟蹤 ½ VDDQ 的精度優于 0.8%。VTT 可同時提供 1A 持續灌電流和拉電流功能，而僅需 10µF 的陶瓷輸出電容。

TPS65295 可提供豐富的功能和卓越的電源性能。它支持靈活功耗狀態控制，將 VTT 置于高阻抗狀態（處于 S3）并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電。另外還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關斷保護。此器件采用熱增強型 18 引腳 HotRod™VQFN 封裝，額定結溫范圍為 –40°C 至 125°C。
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* 數據表 TPS65295 完整 DDR4 存儲器電源解決方案 數據表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2019年 2月 26日
應用手冊 PC 應用中 Tiger Lake 的非隔離式負載點解決方案 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2021年 8月 12日
EVM 用戶指南 TPS65295EVM-079 user's guide 2018年 12月 4日

設計和開發

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評估板

TPS65295EVM-079 — 8-A 降壓轉換器評估模塊

TPS65295 評估模塊 (EMV) 用于評估 TPS65295 器件。TPS65295 以極低總成本和極小空間為 DDR4 存儲器系統提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標準中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉換器（VPP 和 VDDQ）與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用 D-CAP3? 模式，開關頻率為 600kHz，可實現易用性、快速瞬態響應，并支持陶瓷輸出電容器，而無需外部補償電路。
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仿真模型

TPS65295 PSpice Transient Model

SLUM678.ZIP (114 KB) - PSpice Model
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN-HR (RJE) 18 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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