產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type FPD-Link / SerDes, HDMI 2.0, LVDS, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type FPD-Link / SerDes, HDMI 2.0, LVDS, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm2 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護
    • ±15kV 接觸放電
    • ±17kV 空氣間隙放電
  • IEC 61000-4-4 EFT 保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 2.5A (8/20μs)
  • IO 電容：
    • 0.20pF（典型值）
    • 0.23pF（最大值）
  • 直流擊穿電壓：6.4V（典型值）
  • 超低泄漏電流：10nA（最大值）
  • 低 ESD 鉗位電壓：16A TLP 時為 15V
  • 低插入損耗：20 GHz
  • 支持速率高達 20Gbps 的高速接口
  • 業(yè)界通用 0402 封裝
  • 符合 AEC-Q101 標準
    • 器件 HBM 分類等級 H2
    • 器件 CDM 分類等級 C5
    • 器件工作溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護
    • ±15kV 接觸放電
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  • IEC 61000-4-4 EFT 保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 2.5A (8/20μs)
  • IO 電容：
    • 0.20pF（典型值）
    • 0.23pF（最大值）
  • 直流擊穿電壓：6.4V（典型值）
  • 超低泄漏電流：10nA（最大值）
  • 低 ESD 鉗位電壓：16A TLP 時為 15V
  • 低插入損耗：20 GHz
  • 支持速率高達 20Gbps 的高速接口
  • 業(yè)界通用 0402 封裝
  • 符合 AEC-Q101 標準
    • 器件 HBM 分類等級 H2
    • 器件 CDM 分類等級 C5
    • 器件工作溫度范圍：–40°C 至 +125°C

TPD1E01B04-Q1 是一款雙向 TVS ESD 保護二極管，用于為 USB Type-C 和 FPD-Link 電路提供保護。 TPD1E01B04-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值等于 IEC 61000-4-2 國際標準（4 級）規(guī)定的最高水平。

該器件采用一個 0.20pF（典型值）的 IO 電容，適用于保護速率高達 20Gbps 的高速接口（例如 USB 3.1 Gen2 和 FPD-Link）。低動態(tài)電阻和低鉗位電壓確保系統(tǒng)級抗瞬變事件保護。

TPD1E01B04-Q1 采用業(yè)界通用的 0402 (DPY) 封裝。

TPD1E01B04-Q1 是一款雙向 TVS ESD 保護二極管，用于為 USB Type-C 和 FPD-Link 電路提供保護。 TPD1E01B04-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值等于 IEC 61000-4-2 國際標準（4 級）規(guī)定的最高水平。

該器件采用一個 0.20pF（典型值）的 IO 電容，適用于保護速率高達 20Gbps 的高速接口（例如 USB 3.1 Gen2 和 FPD-Link）。低動態(tài)電阻和低鉗位電壓確保系統(tǒng)級抗瞬變事件保護。

TPD1E01B04-Q1 采用業(yè)界通用的 0402 (DPY) 封裝。
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* 數(shù)據(jù)表 TPD1E01B04-Q1 采用 0402 封裝的汽車類 0.2pF、±3.6V、±15kVESD 保護二極管 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 2月 19日
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設(shè)計和開發(fā)

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產(chǎn)品系列的開發(fā)平臺。為了測試任何型號的器件，該電路板支持所有傳統(tǒng)的 ESD 封裝結(jié)構(gòu)。器件可以焊接到相應封裝結(jié)構(gòu)，然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數(shù)并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應采用有布線連接到測試點的封裝結(jié)構(gòu)，以便輕松運行直流測試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
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仿真模型

TPD1E01B04-Q1 IBIS Model

SLVME55.ZIP (3 KB) - IBIS Model
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仿真模型

TPD1E01B04-Q1 PSpice Transient Model

SLVME57.ZIP (151 KB) - PSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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