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功能與比較器件相同,但引腳排列有所不同
TLV1805-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
- 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 +125°C 的環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
- 電源電壓范圍:3.3V 至 40V
- 低靜態(tài)電流:135μA
- 高峰值電流推挽輸出
- 具有相位反轉(zhuǎn)保護(hù)功能的軌至軌輸入
- 內(nèi)置遲滯:14mV
- 250ns 傳播延遲
- 低輸入失調(diào)電壓:500μV
- 關(guān)斷后具有高阻態(tài)輸出
- 上電復(fù)位 (POR)
- SOT-23-6 封裝
TLV1805-Q1 高電壓比較器集獨(dú)特的寬電源范圍、推挽輸出、軌至軌輸入、低靜態(tài)電流、關(guān)斷功能和快速輸出響應(yīng)組合特性于一體。所有這些 特性 使該比較器非常適合 需要 在正電壓軌或負(fù)電壓軌上進(jìn)行檢測(cè)的應(yīng)用,例如智能二極管控制器的反向電流保護(hù)、過流檢測(cè)和過壓保護(hù)電路,其中推挽輸出級(jí)用于驅(qū)動(dòng) P 溝道或 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的柵極。
高峰值電流推挽輸出級(jí)是高電壓比較器的一個(gè)特色,它具有允許輸出以較快的邊沿速率主動(dòng)將負(fù)載驅(qū)動(dòng)至任一電源軌的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于需要快速 將 MOSFET 柵極 驅(qū)動(dòng)至高電平或低電平以將主機(jī)連接至電壓高于預(yù)期的電源或與其斷開的應(yīng)用而言,這特別有用。其他 特性 (如低輸入失調(diào)電壓、低輸入偏置電流和高阻態(tài)關(guān)斷)使 TLV1805-Q1 能夠靈活地處理各種 應(yīng)用的要求。上電復(fù)位可防止加電時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤輸出。
TLV1805-Q1 采用 6 引腳 SOT-23 封裝并符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),具有 –40°C 至 +125°C 的汽車 1 級(jí)溫度范圍。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 具有關(guān)斷功能的 TLV1805-Q1 40V、軌至軌輸入、推挽輸出、高電壓汽車比較器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020年 6月 1日 |
| 應(yīng)用手冊(cè) | 帶比較器電路的過流鎖存電路 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 4月 24日 | |
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 采用比較器的過壓保護(hù)電路 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 4月 24日 | |
| 產(chǎn)品概述 | 在具有比較器的電動(dòng)汽車充電站中實(shí)施 SAE JI772 引導(dǎo)線系統(tǒng) | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 4月 8日 | |
| 功能安全信息 | TLV1805-Q1 Functional Safety, FIT Rate and Failure Mode Distribution | 2020年 3月 17日 | ||||
| 應(yīng)用手冊(cè) | Using Comparators in Reverse Current Applications (Rev. A) | 2019年 6月 11日 | ||||
| 應(yīng)用手冊(cè) | TLV1805-Q1 EVM ISO Testing Results | 2019年 2月 22日 | ||||
| EVM 用戶指南 | TLV1805-Q1EVM Users Manual | 2018年 8月 26日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
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- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
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