產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Output type Push-Pull Propagation delay time (μs) 1.1 Vs (max) (V) 16 Vs (min) (V) 4 Rating HiRel Enhanced Product Iq per channel (typ) (mA) 0.009 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -55 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.03 VICR (max) (V) 15 VICR (min) (V) 0
Number of channels 2 Output type Push-Pull Propagation delay time (μs) 1.1 Vs (max) (V) 16 Vs (min) (V) 4 Rating HiRel Enhanced Product Iq per channel (typ) (mA) 0.009 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -55 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.03 VICR (max) (V) 15 VICR (min) (V) 0
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 受控基線
    • 一個(gè)封測(cè)廠,一個(gè)制造廠
  • 工作溫度范圍為 –55°C 至 125°C
  • 推挽 CMOS 輸出在沒(méi)有上拉電阻器的情況下驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載,IO = ±8mA
  • 功耗極低:5V 時(shí)典型值為 100μW
  • 快速響應(yīng)時(shí)間:tPLH = 2.7μs(典型值),具有 5mV 過(guò)驅(qū)動(dòng)
  • 單電源運(yùn)行:4V 至 16V
  • 片上 ESD 保護(hù)
  • 受控基線
    • 一個(gè)封測(cè)廠,一個(gè)制造廠
  • 工作溫度范圍為 –55°C 至 125°C
  • 推挽 CMOS 輸出在沒(méi)有上拉電阻器的情況下驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載,IO = ±8mA
  • 功耗極低:5V 時(shí)典型值為 100μW
  • 快速響應(yīng)時(shí)間:tPLH = 2.7μs(典型值),具有 5mV 過(guò)驅(qū)動(dòng)
  • 單電源運(yùn)行:4V 至 16V
  • 片上 ESD 保護(hù)

TLC3702-EP 包含兩個(gè)獨(dú)立的微功耗電壓比較器,這些比較器由單電源供電運(yùn)行、并與現(xiàn)代 HCMOS 邏輯系統(tǒng)兼容。這些芯片在功能上與 LM339 類(lèi)似,但使用二十分之一的功率來(lái)實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的響應(yīng)時(shí)間。推挽式 CMOS 輸出級(jí)直接驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載,無(wú)需使用功耗上拉電阻器即可實(shí)現(xiàn)規(guī)定的響應(yīng)時(shí)間。消除上拉電阻器不僅可以降低功耗,還可以節(jié)省布板空間和元件成本。輸出級(jí)也完全符合 TTL 要求。

德州儀器 (TI) LinCMOS 工藝為標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝提供了高質(zhì)量模擬性能。除了在不犧牲速度的情況下低功耗、高輸入阻抗和低偏置電流等標(biāo)準(zhǔn) CMOS 優(yōu)勢(shì)外,LinCMOS 工藝還在寬差分輸入電壓下提供極為穩(wěn)定的輸入失調(diào)電壓。該特性旨在構(gòu)建可靠的 CMOS 比較器。

TLC3702-EP 包含兩個(gè)獨(dú)立的微功耗電壓比較器,這些比較器由單電源供電運(yùn)行、并與現(xiàn)代 HCMOS 邏輯系統(tǒng)兼容。這些芯片在功能上與 LM339 類(lèi)似,但使用二十分之一的功率來(lái)實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的響應(yīng)時(shí)間。推挽式 CMOS 輸出級(jí)直接驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載,無(wú)需使用功耗上拉電阻器即可實(shí)現(xiàn)規(guī)定的響應(yīng)時(shí)間。消除上拉電阻器不僅可以降低功耗,還可以節(jié)省布板空間和元件成本。輸出級(jí)也完全符合 TTL 要求。

德州儀器 (TI) LinCMOS 工藝為標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝提供了高質(zhì)量模擬性能。除了在不犧牲速度的情況下低功耗、高輸入阻抗和低偏置電流等標(biāo)準(zhǔn) CMOS 優(yōu)勢(shì)外,LinCMOS 工藝還在寬差分輸入電壓下提供極為穩(wěn)定的輸入失調(diào)電壓。該特性旨在構(gòu)建可靠的 CMOS 比較器。

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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 TLC3702-EP 雙通道微功耗 LinCMOS 電壓比較器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 8月 21日
* VID TLC3702-EP VID V6203643 2016年 6月 21日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TLC3702MDREP Reliability Report (Rev. A) 2012年 8月 17日
電子書(shū) The Signal e-book: 有關(guān)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)主題的博客文章匯編 英語(yǔ)版 2018年 1月 31日

設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能開(kāi)發(fā)套件評(píng)估模塊

放大器高性能開(kāi)發(fā)套件 (PDK) 是一款用于測(cè)試常見(jiàn)運(yùn)算放大器參數(shù)的評(píng)估模塊 (EVM) 套件,與大多數(shù)運(yùn)算放大器和比較器均兼容。該 EVM 套件提供了一個(gè)主板,主板上具有多個(gè)插槽式子卡選項(xiàng)以滿(mǎn)足封裝需求,使工程師能夠快速評(píng)估和驗(yàn)證器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五種常用的業(yè)界通用封裝,包括:

  • D(SOIC-8 和 SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
  • DCK(SC70-5 和 SC70-6)
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英語(yǔ)版 (Rev.B): PDF | HTML
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù),您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
模擬工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模擬仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的傳統(tǒng)直流、瞬態(tài)和頻域分析以及更多。TINA 具有廣泛的后處理功能,允許您按照希望的方式設(shè)置結(jié)果的格式。虛擬儀器允許您選擇輸入波形、探針電路節(jié)點(diǎn)電壓和波形。TINA 的原理圖捕獲非常直觀 - 真正的“快速入門(mén)”。

TINA-TI 安裝需要大約 500MB。直接安裝,如果想卸載也很容易。我們相信您肯定會(huì)愛(ài)不釋手。

TINA 是德州儀器 (TI) 專(zhuān)有的 DesignSoft 產(chǎn)品。該免費(fèi)版本具有完整的功能,但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需獲取可用 TINA-TI 模型的完整列表,請(qǐng)參閱:SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

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英語(yǔ)版 (Rev.A): PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供,并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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