產品詳情

Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 100 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 100 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
TSSOP (PW) 14 32 mm2 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm2 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm2 3.5 x 3.5
  • 輸出電壓轉換跟蹤 VCC
  • 所有數據 I/O 端口均支持混合模式信號運行
    • 5V 輸入降至 3.3V 輸出電平位移,VCC 為 3.3V
    • 5V/3.3V 輸入降至 2.5V 輸出電平位移,VCC 為 2.5V
  • 支持器件加電與斷電的 5V 耐壓 I/O
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數據流
  • 低導通狀態電阻 (ron) 特性
    (ron = 5? 典型)
  • 低輸入/輸出電容可減小負載
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 數據與控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗(ICC = 20μA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作電壓范圍
  • 數據 I/O 支持 0V 至 5V 信號電平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制輸入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 輸出驅動
  • Ioff 支持局部斷電模式運行
  • 閂鎖性能超過 250mA,符合 JESD 17 規范
  • 靜電放電 (ESD) 性能測試符合 JESD 22 規范
    • 2000V 人體放電模式
      (A114-B,II 類)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 輸出電壓轉換跟蹤 VCC
  • 所有數據 I/O 端口均支持混合模式信號運行
    • 5V 輸入降至 3.3V 輸出電平位移,VCC 為 3.3V
    • 5V/3.3V 輸入降至 2.5V 輸出電平位移,VCC 為 2.5V
  • 支持器件加電與斷電的 5V 耐壓 I/O
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數據流
  • 低導通狀態電阻 (ron) 特性
    (ron = 5? 典型)
  • 低輸入/輸出電容可減小負載
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 數據與控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗(ICC = 20μA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作電壓范圍
  • 數據 I/O 支持 0V 至 5V 信號電平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制輸入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 輸出驅動
  • Ioff 支持局部斷電模式運行
  • 閂鎖性能超過 250mA,符合 JESD 17 規范
  • 靜電放電 (ESD) 性能測試符合 JESD 22 規范
    • 2000V 人體放電模式
      (A114-B,II 類)
    • 1000V 充電器件模型 (C101)

SN74CB3T3125 是一種具備低導通狀態電阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 總線開關,可實現最短傳播延遲。該器件提供可跟蹤 VCC 的電壓轉換,能夠在所有數據 I/O 端口上全面支持混合模式信號運行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 轉換標準以及用戶定義轉換水平的系統(參閱典型直流電壓轉換特性)。

SN74CB3T3125 被劃分為四個 1 位總線開關,各自具備輸出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)輸入。可以作為四個 1 位總線開關或者一個 4 位總線開關。OE 為低時,相關 1 位總線開關打開,A 端口連接至 B 端口,可在兩個端口之間實現雙向數據流。OE 為高時,相關 1 位總線開關關閉,A、B 端口存在高阻抗狀態。

該器件完全 適用于 使用 Ioff 的局部斷電應用。Ioff 特性確保在關斷時防止損壞電流通過器件回流。該器件可在關斷時提供隔離。

為了確保加電或斷電期間的高阻抗狀態,OE 應通過一個上拉電阻器被連接至 VCC;該電阻器的最小值由驅動器的電流吸入能力來決定。

SN74CB3T3125 是一種具備低導通狀態電阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 總線開關,可實現最短傳播延遲。該器件提供可跟蹤 VCC 的電壓轉換,能夠在所有數據 I/O 端口上全面支持混合模式信號運行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 轉換標準以及用戶定義轉換水平的系統(參閱典型直流電壓轉換特性)。

SN74CB3T3125 被劃分為四個 1 位總線開關,各自具備輸出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)輸入。可以作為四個 1 位總線開關或者一個 4 位總線開關。OE 為低時,相關 1 位總線開關打開,A 端口連接至 B 端口,可在兩個端口之間實現雙向數據流。OE 為高時,相關 1 位總線開關關閉,A、B 端口存在高阻抗狀態。

該器件完全 適用于 使用 Ioff 的局部斷電應用。Ioff 特性確保在關斷時防止損壞電流通過器件回流。該器件可在關斷時提供隔離。

為了確保加電或斷電期間的高阻抗狀態,OE 應通過一個上拉電阻器被連接至 VCC;該電阻器的最小值由驅動器的電流吸入能力來決定。

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選擇指南 邏輯器件指南 2014 (Rev. AA) 最新英語版本 (Rev.AC) PDF | HTML 2014年 11月 17日
用戶指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
應用手冊 選擇正確的電平轉換解決方案 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2006年 3月 23日
更多文獻資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
應用手冊 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用戶指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
應用手冊 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日
選擇指南 Logic Guide (Rev. AC) PDF | HTML 1994年 6月 1日

設計和開發

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接口適配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉 DIP 接頭適配器,用于快速測試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。

EVM-LEADED1 電路板可用于對 TI 的常見引線式封裝進行快速測試和電路板試驗。? 該電路板具有足夠的空間,可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面貼裝封裝轉換為 100mil DIP 接頭。?????

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仿真模型

SN74CB3T3125 IBIS Model

SCDM024.ZIP (26 KB) - IBIS Model
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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