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SN54SC8T595-SEP

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抗輻射 1.2V 至 5.5V 八位移位寄存器

產品詳情

Technology family SCxT Number of channels 8 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Features Balanced outputs, Level shifter, Over-voltage tolerant inputs Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family SCxT Number of channels 8 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Features Balanced outputs, Level shifter, Over-voltage tolerant inputs Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 16 32 mm2 5 x 6.4
  • 提供供應商項目圖，VID V62/25621-01XE
  • 輻射 - 總電離劑量 (TID)：
    • TID 特征值高達 50krad (Si)
    • TID 性能保證高達 30krad(Si)
    • 每個晶圓批次的輻射批次驗收測試 (RLAT) 高達 30krad(Si)
  • 輻射 - 單粒子效應 (SEE)：
    • 在 125°C 下，單粒子鎖定 (SEL) 抗擾度高達 50MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 額定值高達 LET = 50MeV-cm2/mg

  • 1.2V 至 5.5V 的寬工作電壓范圍

  • 單電源電壓轉換器：

    • 升壓轉換：

      • 1.2V 至 1.8V

      • 1.5V 至 2.5V

      • 1.8V 至 3.3V

      • 3.3V 至 5.0V

    • 降壓轉換：

      • 5.0V、3.3V、2.5V 至 1.8V
      • 5.0V、3.3V 至 2.5V
      • 5.0V 至 3.3V
  • 5.5V 容限輸入引腳
  • 支持標準引腳排列
  • 速率高達 150Mbps，具有 5V 或 3.3V VCC
  • 閂鎖性能超過 250mA，符合 JESD 17 規范
  • 增強型航天塑料：
    • 支持國防與航空航天應用
    • 受控基線
    • Au 鍵合線和 NiPdAu 鉛涂層
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規格要求
    • 一個制造、封裝和測試基地
    • 延長了產品生命周期
    • 產品可追溯性
  • 提供供應商項目圖，VID V62/25621-01XE
  • 輻射 - 總電離劑量 (TID)：
    • TID 特征值高達 50krad (Si)
    • TID 性能保證高達 30krad(Si)
    • 每個晶圓批次的輻射批次驗收測試 (RLAT) 高達 30krad(Si)
  • 輻射 - 單粒子效應 (SEE)：
    • 在 125°C 下，單粒子鎖定 (SEL) 抗擾度高達 50MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 額定值高達 LET = 50MeV-cm2/mg

  • 1.2V 至 5.5V 的寬工作電壓范圍

  • 單電源電壓轉換器：

    • 升壓轉換：

      • 1.2V 至 1.8V

      • 1.5V 至 2.5V

      • 1.8V 至 3.3V

      • 3.3V 至 5.0V

    • 降壓轉換：

      • 5.0V、3.3V、2.5V 至 1.8V
      • 5.0V、3.3V 至 2.5V
      • 5.0V 至 3.3V
  • 5.5V 容限輸入引腳
  • 支持標準引腳排列
  • 速率高達 150Mbps，具有 5V 或 3.3V VCC
  • 閂鎖性能超過 250mA，符合 JESD 17 規范
  • 增強型航天塑料：
    • 支持國防與航空航天應用
    • 受控基線
    • Au 鍵合線和 NiPdAu 鉛涂層
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規格要求
    • 一個制造、封裝和測試基地
    • 延長了產品生命周期
    • 產品可追溯性

SN54SC8T595-SEP 器件包含對 8 位 D 類存儲寄存器進行饋送的 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器。存儲寄存器具有并行三態輸出。移位寄存器和存儲寄存器分別有單獨的時鐘。移位寄存器具有直接覆蓋清零 (SRCLR) 輸入、串行 (SER) 輸入和用于級聯的串行輸出 (QH’)。當輸出使能端 (OE) 輸入為高電平時，輸出處于高阻抗狀態。內部寄存器數據不受 OE 端輸入的影響。輸出電平以電源電壓 (VCC) 為基準，并支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 電平。

該輸入經設計，具有較低閾值電路，支持較低電壓 CMOS 輸入的升壓轉換（例如 1.2V 輸入轉換為 1.8V 輸出或 1.8V 輸入轉換為 3.3V 輸出）。此外，5V 容限輸入引腳可實現降壓轉換（例如 3.3V 轉 2.5V 輸出）。

SN54SC8T595-SEP 器件包含對 8 位 D 類存儲寄存器進行饋送的 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器。存儲寄存器具有并行三態輸出。移位寄存器和存儲寄存器分別有單獨的時鐘。移位寄存器具有直接覆蓋清零 (SRCLR) 輸入、串行 (SER) 輸入和用于級聯的串行輸出 (QH’)。當輸出使能端 (OE) 輸入為高電平時，輸出處于高阻抗狀態。內部寄存器數據不受 OE 端輸入的影響。輸出電平以電源電壓 (VCC) 為基準，并支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 電平。

該輸入經設計，具有較低閾值電路，支持較低電壓 CMOS 輸入的升壓轉換（例如 1.2V 輸入轉換為 1.8V 輸出或 1.8V 輸入轉換為 3.3V 輸出）。此外，5V 容限輸入引腳可實現降壓轉換（例如 3.3V 轉 2.5V 輸出）。
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* 數據表 SN54SC8T595-SEP 具有三態輸出和邏輯電平移位器的 抗輻射 8 位移位寄存器 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 4月 11日
* 輻射與可靠性報告 SN54SC8T595-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2025年 3月 5日
* 輻射與可靠性報告 SN54SC8T595-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report (Rev. A) PDF | HTML 2025年 3月 5日
* 輻射與可靠性報告 SN54SC8T595-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report (Rev. A) 2025年 3月 5日
應用簡報 TI 增強型航天塑料邏輯器件概述及在近地軌道衛星平臺中的應 用 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 9月 11日

設計和開發

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評估板

14-24-LOGIC-EVM — 采用 14 引腳至 24 引腳 D、DB、DGV、DW、DYY、NS 和 PW 封裝的邏輯產品通用評估模塊

14-24-LOGIC-EVM 評估模塊 (EVM) 設計用于支持采用 14 引腳至 24 引腳 D、DW、DB、NS、PW、DYY 或 DGV 封裝的任何邏輯器件。

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評估板

14-24-NL-LOGIC-EVM — 采用 14 引腳至 24 引腳無引線封裝的邏輯產品通用評估模塊

14-24-EVM 是一款靈活的評估模塊 (EVM)，旨在支持具有 14 引腳至 24 引腳 BQA、BQB、RGY、RSV、RJW 或 RHL 封裝的任何邏輯或轉換器件。

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英語版 (Rev.A): PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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