SMV512K32-SP
- 20ns 讀取，13.8ns 寫入（最大存取時間）
- 與商用
512K x 32 SRAM 器件功能兼容 - 內置 EDAC（錯誤偵測和校正）以減輕軟錯誤
- 用于自主校正的內置引擎
- CMOS 兼容輸入和輸出電平，3 態雙向數據總線
- 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 內核
- 輻射性能 放射耐受性是一個基于最初器件標準的典型值。 輻射數據和批量驗收測試可用 - 細節請與廠家聯系。
- 設計使用基底工程和抗輻射 (HBD) 與硅空間技術公司 (SST) 許可協議下的 TM 技術和存儲器設計。
- TID 抗擾度 > 3e5 rad (Si)
- SER < 5e-17 翻轉/位-天
（使用 EDAC 和擦除的內核） 使用 CREME96 來計算用于與地同步軌道，太陽安靜期的 SER。 - 閉鎖抗擾度 > LET = 110 MeV
(T = 398K)
- 采用 76 引線陶瓷方形扁平封裝
- 可提供工程評估 (/EM) 樣品 這些部件只用于工程評估。 它們的加工工藝為非兼容流程（例如，無預燒過程等），并且只在 25°C 的溫度額定值下進行測試。 這些部件不適合于品質檢定、生產、輻射測試或飛行使用。 不擔保完全軍用額定溫度
-55°C 至 125°C 范圍內或使用壽命內的部件性能。
SMV512K32 是一款高性能異步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 個字組成。 可在兩種模式：主控或受控間進行引腳選擇。 主器件為用戶提供了定義的自主 EDAC 擦除選項。 從器件選擇采用按要求擦除特性，此特性可由一個主器件啟動。 根據用戶需要，可提供 3 個讀周期和 4 個寫周期（描述如下）。
技術文檔
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查看全部 10 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | 16-Mb 抗輻射 SRAM 數據表 (Rev. I) | 英語版 (Rev.I) | PDF | HTML | 2014年 1月 28日 | |
| * | SMD | SMV512K32-SP SMD 5962-11237 | 2016年 7月 8日 | |||
| 應用手冊 | 重離子軌道環境單粒子效應估算 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 7月 7日 | |
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| 應用手冊 | 單粒子效應置信區間計算 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 12月 2日 | |
| 電子書 | 電子產品輻射手冊 (Rev. B) | 2022年 5月 7日 | ||||
| 應用手冊 | 16 MB Radiation-Hardened SRAM with EDAC to Mitigate Soft Errors (Rev. A) | 2019年 8月 2日 | ||||
| 電子書 | 電子產品輻射手冊 (Rev. A) | 2019年 5月 21日 | ||||
| 用戶指南 | SMV512K32-CVAL User Guide | 2012年 1月 12日 |
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