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功能與比較器件相同，且具有相同引腳
TLV9032 正在供貨 具有推挽式輸出的雙路精密比較器 Rail-to-rail and fail-safe inputs with improved power consumption and propagation delay

產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Output type Push-Pull Propagation delay time (μs) 0.12 Vs (max) (V) 5 Vs (min) (V) 2.7 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.225 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.005 VICR (max) (V) 3.8 VICR (min) (V) -0.3
Number of channels 2 Output type Push-Pull Propagation delay time (μs) 0.12 Vs (max) (V) 5 Vs (min) (V) 2.7 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.225 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.005 VICR (max) (V) 3.8 VICR (min) (V) -0.3
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSSOP (DGK) 8 14.7 mm2 3 x 4.9
  • VS = 5V，TA = 25°C（典型值，除非另有說明）
  • 輸入失調(diào)電壓為 0.2mV
  • 輸入失調(diào)電壓（額定溫度范圍內(nèi)最大值）為 1mV
  • 輸入偏置電流為 0.2pA
  • 傳播延遲 (OD = 50mV) 為 120ns
  • 低電源電流：300μA
  • CMRR 為 100dB
  • PSRR 為 110dB
  • 擴展溫度范圍為 ?40°C 至 +125°C
  • 推挽式輸出
  • 非常適合 2.7V 和 5V 單電源 應用
  • 采用節(jié)省空間的封裝：
    • ?6 引腳 SOT-23（具有關(guān)斷功能的單通道版本）
    • ?8 引腳 SOIC（具有關(guān)斷功能的單通道版本）
    • ?8 引腳 SOIC 和 VSSOP（不帶關(guān)斷功能的雙通道版本）
  • LMV762Q-Q1 符合汽車 應用標準
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果：
    • 器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運行溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
    • 器件 CDM ESD 分類等級 M2
  • VS = 5V，TA = 25°C（典型值，除非另有說明）
  • 輸入失調(diào)電壓為 0.2mV
  • 輸入失調(diào)電壓（額定溫度范圍內(nèi)最大值）為 1mV
  • 輸入偏置電流為 0.2pA
  • 傳播延遲 (OD = 50mV) 為 120ns
  • 低電源電流：300μA
  • CMRR 為 100dB
  • PSRR 為 110dB
  • 擴展溫度范圍為 ?40°C 至 +125°C
  • 推挽式輸出
  • 非常適合 2.7V 和 5V 單電源 應用
  • 采用節(jié)省空間的封裝：
    • ?6 引腳 SOT-23（具有關(guān)斷功能的單通道版本）
    • ?8 引腳 SOIC（具有關(guān)斷功能的單通道版本）
    • ?8 引腳 SOIC 和 VSSOP（不帶關(guān)斷功能的雙通道版本）
  • LMV762Q-Q1 符合汽車 應用標準
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果：
    • 器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運行溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
    • 器件 CDM ESD 分類等級 M2

LMV76x 器件是面向需要低噪聲和低輸入失調(diào)電壓的 應用 的精密比較器。LMV761 單通道版本具有關(guān)斷引腳，該引腳可用于禁用器件并降低電源電流。LMV761 采用節(jié)省空間的 6 引腳 SOT-23 或 8 引腳 SOIC 封裝。LMV762 雙通道版本采用 8 引腳 SOIC 或 VSSOP 封裝。LMV762Q-Q1 采用 VSSOP 和 SOIC 封裝。

這些器件具有 CMOS 輸入和推挽式輸出級。推挽式輸出級消除了對外部上拉電阻器的需求。

LMV76x 旨在滿足便攜式和電池供電類電子設備在小尺寸、低功耗和高性能方面的需求。

輸入失調(diào)電壓在室溫下的典型值為 200µV，在工作溫度范圍內(nèi)的極限值為 1mV。

LMV76x 器件是面向需要低噪聲和低輸入失調(diào)電壓的 應用 的精密比較器。LMV761 單通道版本具有關(guān)斷引腳，該引腳可用于禁用器件并降低電源電流。LMV761 采用節(jié)省空間的 6 引腳 SOT-23 或 8 引腳 SOIC 封裝。LMV762 雙通道版本采用 8 引腳 SOIC 或 VSSOP 封裝。LMV762Q-Q1 采用 VSSOP 和 SOIC 封裝。

這些器件具有 CMOS 輸入和推挽式輸出級。推挽式輸出級消除了對外部上拉電阻器的需求。

LMV76x 旨在滿足便攜式和電池供電類電子設備在小尺寸、低功耗和高性能方面的需求。

輸入失調(diào)電壓在室溫下的典型值為 200µV，在工作溫度范圍內(nèi)的極限值為 1mV。
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* 數(shù)據(jù)表 LMV76x 和 LMV762Q-Q1 推挽式輸出、低電壓、精密比較器 數(shù)據(jù)表 (Rev. I) PDF | HTML 英語版 (Rev.I) PDF | HTML 2018年 4月 16日
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設計和開發(fā)

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評估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能開發(fā)套件評估模塊

放大器高性能開發(fā)套件 (PDK) 是一款用于測試常見運算放大器參數(shù)的評估模塊 (EVM) 套件，與大多數(shù)運算放大器和比較器均兼容。該 EVM 套件提供了一個主板，主板上具有多個插槽式子卡選項以滿足封裝需求，使工程師能夠快速評估和驗證器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五種常用的業(yè)界通用封裝，包括：

  • D（SOIC-8 和 SOIC-14）
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
  • DCK（SC70-5 和 SC70-6）
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仿真模型

LMV761 PSpice Model

SNOM307.ZIP (88 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創(chuàng)建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發(fā)送申請
模擬工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模擬仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的傳統(tǒng)直流、瞬態(tài)和頻域分析以及更多。TINA 具有廣泛的后處理功能，允許您按照希望的方式設置結(jié)果的格式。虛擬儀器允許您選擇輸入波形、探針電路節(jié)點電壓和波形。TINA 的原理圖捕獲非常直觀 - 真正的“快速入門”。

TINA-TI 安裝需要大約 500MB。直接安裝，如果想卸載也很容易。我們相信您肯定會愛不釋手。

TINA 是德州儀器 (TI) 專有的 DesignSoft 產(chǎn)品。該免費版本具有完整的功能，但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需獲取可用 TINA-TI 模型的完整列表，請參閱：SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用戶指南: PDF
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參考設計

TIDA-010054 — 適用于 3 級電動汽車充電站的雙向雙有源電橋參考設計

該參考設計概述了單相雙有源電橋 (DAB) 直流/直流轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)。DAB 拓撲具有軟開關(guān)換向、器件數(shù)量減少和效率高等優(yōu)勢。該設計在功率密度、成本、重量、電隔離、高電壓轉(zhuǎn)換比和可靠性等關(guān)鍵要素方面大有裨益，是電動汽車充電站和能量存儲應用的理想之選。DAB 中的模塊化和對稱結(jié)構(gòu)能堆疊多個轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)高功率吞吐量和雙向運行模式，從而支持電池充電和放電應用。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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