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LMG3614

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具有集成驅動器和保護功能的 650-V 170-mΩ?GaN FET

產品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm2 8 x 5.3
  • 650V 170m? GaN 功率 FET
  • 具有低傳播延遲和可調節導通壓擺率控制的集成柵極驅動器
  • 通過 FLT 引腳報告實現過熱保護
  • AUX 靜態電流： 55μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝
  • 650V 170m? GaN 功率 FET
  • 具有低傳播延遲和可調節導通壓擺率控制的集成柵極驅動器
  • 通過 FLT 引腳報告實現過熱保護
  • AUX 靜態電流： 55μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3614 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。

可編程導通壓擺率可實現 EMI 和振鈴控制。

LMG3614 具有低靜態電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現突發模式運行。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)和過熱保護。過熱保護通過開漏 FLT 引腳報告。

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3614 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。

可編程導通壓擺率可實現 EMI 和振鈴控制。

LMG3614 具有低靜態電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現突發模式運行。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)和過熱保護。過熱保護通過開漏 FLT 引腳報告。
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* 數據表 LMG3614 具有集成式驅動器的 650V 170 m? GaN FET 數據表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 12月 8日
產品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 進行設計 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

設計和開發

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評估板

LMG3624EVM-081 — LMG3624 支持 USB Type-C? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器評估模塊

LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (PD) 離線適配器的高效率和高密度特性。該輸入支持 90Vac 至 265Vac 通用電壓范圍，輸出可設置為 5V、9V 和 15V（電流最大為 3A）或 20V（電流最大為 3.25A），此類設置可通過 USB PD 接口控制器進行調整。標稱頻率高達 200kHz 的高頻運行可實現小解決方案尺寸，而多模式運行可保持高效率。在輸出端使用同步整流技術，以提高效率。

用戶指南: PDF | HTML
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計算工具

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的產品和硬件

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產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3612 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 120-mΩ?GaN FET LMG3614 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 170-mΩ?GaN FET LMG3616 — 具有集成驅動器和保護功能的 650-V 270-mΩ?GaN FET LMG3622 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V 270mΩ GaN FET
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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