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LMG3614

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具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650-V 170-mΩ?GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm2 8 x 5.3
  • 650V 170m? GaN 功率 FET
  • 具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)導(dǎo)通壓擺率控制的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 通過 FLT 引腳報(bào)告實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)
  • AUX 靜態(tài)電流： 55μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝
  • 650V 170m? GaN 功率 FET
  • 具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)導(dǎo)通壓擺率控制的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 通過 FLT 引腳報(bào)告實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)
  • AUX 靜態(tài)電流： 55μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 帶有散熱焊盤的 8mm × 5.3mm QFN 封裝

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。

LMG3614 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，可滿足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求，并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)和過熱保護(hù)。過熱保護(hù)通過開漏 FLT 引腳報(bào)告。

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。

LMG3614 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，可滿足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求，并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)和過熱保護(hù)。過熱保護(hù)通過開漏 FLT 引腳報(bào)告。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 LMG3614 具有集成式驅(qū)動(dòng)器的 650V 170 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 12月 8日
產(chǎn)品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 進(jìn)行設(shè)計(jì) PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

LMG3624EVM-081 — LMG3624 支持 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊

LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測(cè)仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (PD) 離線適配器的高效率和高密度特性。該輸入支持 90Vac 至 265Vac 通用電壓范圍，輸出可設(shè)置為 5V、9V 和 15V（電流最大為 3A）或 20V（電流最大為 3.25A），此類設(shè)置可通過 USB PD 接口控制器進(jìn)行調(diào)整。標(biāo)稱頻率高達(dá) 200kHz 的高頻運(yùn)行可實(shí)現(xiàn)小解決方案尺寸，而多模式運(yùn)行可保持高效率。在輸出端使用同步整流技術(shù)，以提高效率。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
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計(jì)算工具

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG3612 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650-V 120-mΩ?GaN FET
  • LMG3614 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650-V 170-mΩ?GaN FET
  • LMG3616 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650-V 270-mΩ?GaN FET
  • LMG3622 — 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection
  • LMG3624 — 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
  • LMG3626 — 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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