LM5114
- Independent Source and Sink Outputs for
Controllable Rise and Fall Times - 4-V to 12.6-V Single Power Supply
- 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
- 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
- 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
- 12-ns (Typical) Propagation Delay
- Matching Delay Time Between Inverting and
Noninverting Inputs - TTL/CMOS Logic Inputs
- 0.68-V Input Hysteresis
- Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
- Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
- –40°C to 125°C Operating Temperature Range
- Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
- 6-Pin SOT-23
The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.
技術文檔
| 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | LM5114 Single 7.6-A Peak Current Low-Side Gate Driver 數據表 (Rev. F) | PDF | HTML | 2015年 11月 30日 | ||
| 應用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應用簡報 | 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應用手冊 | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
| 應用簡報 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文獻資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 應用簡報 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018年 7月 11日 | ||||
| 更多文獻資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應用簡報 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 | ||||
| 白皮書 | 證明 GaN 產品可靠性的一整套綜合算法 | 英語版 | 2016年 3月 30日 | |||
| 白皮書 | Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN | 2015年 2月 24日 | ||||
| 用戶指南 | AN-2206 LM5114 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 3日 | ||||
| 更多文獻資料 | 增強型 GaN 功率 FET 柵極驅動器 | 2012年 2月 27日 |
設計和開發
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