數(shù)據(jù)表
LM5111
- Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
- Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
- 5-A Sink and 3-A Source Current Capability
- Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
- Independent Inputs (TTL Compatible)
- Fast Propagation Times (25 ns Typical)
- Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
- Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)?
- LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
- Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers
The LM5111 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC package or the thermally enhanced
MSOP-PowerPAD package.
技術(shù)文檔
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查看全部 12 | 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | LM5111 Dual 5-A Compound Gate Driver 數(shù)據(jù)表 (Rev. H) | PDF | HTML | 2016年 9月 28日 | ||
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| 應(yīng)用手冊(cè) | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
| 應(yīng)用簡報(bào) | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 應(yīng)用簡報(bào) | High-Side Cutoff Switches for High-Power Automotive Applications (Rev. A) | 2018年 11月 26日 | ||||
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| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應(yīng)用簡報(bào) | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 | ||||
| EVM 用戶指南 | AN-1937 LM3433 10A to 40A LED Driver Evaluation Board (Rev. D) | 2013年 5月 3日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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評(píng)估板
UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 具有使能端的雙路 4A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM)
UCC2742xQ1 EVM 是一款高速雙 MOSFET 評(píng)估模塊，提供了用于快速、輕松啟動(dòng) UCC2742xQ1 驅(qū)動(dòng)器的測(cè)試平臺(tái)。評(píng)估模塊由 4V 至 15V 外部單電源供電，配有一整套測(cè)試點(diǎn)和跳線。所有器件均采用單獨(dú)的輸入和輸出線路，且共享一個(gè)公共接地。評(píng)估模塊具備使能 (ENBL) 功能，旨在更好地控制驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的運(yùn)行，器件的驅(qū)動(dòng)器信號(hào)可通過同一使能引腳啟用或禁用。
用戶指南: PDF
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。
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參考設(shè)計(jì)
TIDM-AUTO-DC-LED-LIGHTING — 面向汽車前燈應(yīng)用的多通道高密度 LED 控制
此設(shè)計(jì)采用 TMS320F2803x Piccolo 微控制器，實(shí)現(xiàn)了通常適合汽車照明系統(tǒng)的高效率多通道直流/直流 LED 控制系統(tǒng)。此設(shè)計(jì)支持多達(dá) 6 個(gè) LED 控制通道，每個(gè)通道具有最高 1.2A 的電流驅(qū)動(dòng)能力。憑借升壓和降壓雙級(jí)電源拓?fù)洌讼到y(tǒng)可通過 8V 至 20V 的寬輸入直流電壓范圍運(yùn)行，這非常適合汽車應(yīng)用。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
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- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
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- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。