ISOS141-SEP
- 抗輻射
- 電離輻射總劑量 (TID) 特征值（無 ELDRS）= 30krad(Si)
- TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
- 單粒子鎖定 (SEL) 在 125°C 下對 LET 的抗擾度 = 43MeV?cm2/mg
- 單粒子絕緣擊穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗擾度 (43MeV?cm2/mg)
- 增強型航天塑料（航天 EP）
- 符合 NASA ASTM E595 釋氣規格要求
- 供應商項目圖 (VID) V62/21610
- 軍用級溫度范圍（-55°C 至 125°C）
- 同一晶圓制造場所
- 同一組裝和測試場所
- 金鍵合線，NiPdAu 鉛涂層
- 晶圓批次可追溯性
- 延長了產品生命周期
- 延長了產品變更通知周期
- 600VRMS 連續工作電壓
- ：
- DIN VDE V 0884-11:2017-01
- UL 1577 組件認證計劃
- 100 Mbps 數據速率
- 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
- 2.25V 至 5.5V 電平轉換
- 默認輸出低
- 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.5mA
- 低傳播延遲：典型值為 10.7ns（5V 電源供電時）
- 通道間偏斜?。鹤畲?4ns（5V 電源供電時）
- CMTI 典型值為 ±100kV/μs
- 系統級 ESD、EFT、浪涌和磁抗擾度
-
小型 QSOP (DBQ-16) 封裝
ISOS141-SEP 抗輻射器件是采用小型 16 引腳 QSOP 封裝的高性能四通道數字隔離器。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。該器件具有 100Mbps 的高數據速率、10.7ns 的低傳播延遲和 4ns 的通道間嚴格偏移，支持近地軌道 (LEO) 航天應用。ISOS141-SEP 器件具有三個正向通道和一個反向通道，如果失去輸入功率或信號，默認輸出為低電平。使能引腳可用于將各輸出置于高阻抗，適用于多主驅動應用，還可降低功耗。
ISOS141-SEP 在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數字 I/O 時，具有高電磁抗擾度和低輻射、低功耗特性。該器件具有 100kV/µs 的高共模瞬態抗擾度，可輕松緩解系統級 ESD、EFT 和浪涌問題，還通過創新的芯片設計簡化了輻射方面的合規性。
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評估板
DIGI-ISO-EVM — 通用數字隔離器評估模塊
DIGI-ISO-EVM 是一個評估模塊 (EVM)，用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SSOP (DBQ) | 16 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。