產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 2 forward / 2 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols General purpose, SPI, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.72 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.45 Creepage (min) (mm) 3.7, 8 Clearance (min) (mm) 3.7, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 2 forward / 2 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols General purpose, SPI, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.72 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.45 Creepage (min) (mm) 3.7, 8 Clearance (min) (mm) 3.7, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500VRMS 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 30 年
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5700VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO774x) 和低電平 (ISO774xF) 選項(xiàng)
  • 低功耗，1Mbps 時(shí)每通道的電流典型值為 1.5mA
  • 低傳播延遲：典型值為 10.7ns（5V 電源）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個(gè)隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護(hù)
    • 低輻射
  • 超寬 SOIC (DWW-16)、寬體 SOIC (DW-16) 和 QSOP (DBQ-16) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500VRMS 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 30 年
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5700VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO774x) 和低電平 (ISO774xF) 選項(xiàng)
  • 低功耗，1Mbps 時(shí)每通道的電流典型值為 1.5mA
  • 低傳播延遲：典型值為 10.7ns（5V 電源）
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    • 在整個(gè)隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護(hù)
    • 低輻射
  • 超寬 SOIC (DWW-16)、寬體 SOIC (DW-16) 和 QSOP (DBQ-16) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證

ISO774x-Q1 汽車級(jí)器件是高性能四通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5700VRMS（DWW 封裝）、5000VRMS（DW 封裝）和 3000VRMS（DBQ 封裝）隔離等級(jí)。該系列器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型絕緣等級(jí)。

ISO774x-Q1 器件能夠以較低的功耗提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)還能夠隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。這些器件配有使能引腳，可用于在多控制器驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中將各自的輸出置于高阻抗?fàn)顟B(tài)，并降低功耗。ISO7740-Q1 器件具有四個(gè)全部同向的通道，ISO7741-Q1 器件具有三個(gè)正向通道和一個(gè)反向通道，而 ISO7742-Q1 器件具有兩個(gè)正向通道和兩個(gè)反向通道。如果輸入電源或信號(hào)丟失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱器件功能模式 部分。

ISO774x-Q1 汽車級(jí)器件是高性能四通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5700VRMS（DWW 封裝）、5000VRMS（DW 封裝）和 3000VRMS（DBQ 封裝）隔離等級(jí)。該系列器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型絕緣等級(jí)。

ISO774x-Q1 器件能夠以較低的功耗提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)還能夠隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。這些器件配有使能引腳，可用于在多控制器驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中將各自的輸出置于高阻抗?fàn)顟B(tài)，并降低功耗。ISO7740-Q1 器件具有四個(gè)全部同向的通道，ISO7741-Q1 器件具有三個(gè)正向通道和一個(gè)反向通道，而 ISO7742-Q1 器件具有兩個(gè)正向通道和兩個(gè)反向通道。如果輸入電源或信號(hào)丟失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱器件功能模式 部分。
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應(yīng)用手冊(cè) 具有 16kV 接觸放電 ESD 保護(hù)功能且符合 IEC60601-1-2 標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字隔離設(shè)計(jì) PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 2月 17日
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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評(píng)估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個(gè)評(píng)估模塊 (EVM)，用于評(píng)估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項(xiàng)，支持使用超少的外部元件來評(píng)估相應(yīng)器件。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
評(píng)估板

ISO7741DBQEVM — ISO7741DBQ 高速、強(qiáng)大的 EMC 四通道數(shù)字隔離器評(píng)估模塊

ISO7741DBQEVM 是一款用于評(píng)估采用 16 引腳 SSOP 封裝（封裝代碼 DBQ）的高性能增強(qiáng)型四通道數(shù)字隔離器 ISO7741 的評(píng)估模塊。此 EVM 具有足夠的測(cè)試點(diǎn)和跳線選項(xiàng)，支持使用超少的外部元件來評(píng)估相應(yīng)器件。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
評(píng)估板

ISO7741EVM — ISO7741 高速、強(qiáng)大的 EMC 四通道數(shù)字隔離器評(píng)估模塊

ISO7741EVM 是一款用于評(píng)估 ISO7741 器件的評(píng)估模塊 (EVM)。ISO7741 是一款高性能增強(qiáng)型四通道數(shù)字隔離器，采用寬體 SOIC 封裝（封裝代碼 DW）。此 EVM 具有足夠的測(cè)試點(diǎn)和跳線選項(xiàng)，支持使用超少的外部元件來評(píng)估相應(yīng)器件。
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TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO7742 IBIS Model (Rev. A)

SLLM312A.ZIP (62 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

ISO7742 PSpice Transient Model

SLLM472.ZIP (243 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數(shù)校正和三相 LLC 參考設(shè)計(jì)

該參考設(shè)計(jì)為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級(jí)是三角導(dǎo)通模式 (TCM) 功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，后跟一個(gè)與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉(zhuǎn)換器。這兩個(gè)功率級(jí)均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關(guān)實(shí)現(xiàn)。該 PFC 在基于零電流檢測(cè) (ZCD) 的控制機(jī)制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運(yùn)行，并在整體運(yùn)行條件下保持零電壓開關(guān) (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測(cè)功能的 LMG3527R030 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)。轉(zhuǎn)換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
測(cè)試報(bào)告: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-020030 — 具有熱敏二極管和感應(yīng) FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是一款具有高級(jí)保護(hù)功能、驅(qū)動(dòng) IGBT 模塊的 IGBT 或 SiC 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)。該設(shè)計(jì)包含牽引逆變器的單相功率級(jí)，可提供高級(jí)安全功能。IGBT 模塊具有用于溫度監(jiān)測(cè)的集成式熱敏二極管和用于過流保護(hù)的感應(yīng) FET，可快速提供精確保護(hù)。它包含偏置電源及其輸出電壓監(jiān)控、冗余電路上的隔離式直流母線感應(yīng)、高低側(cè)驅(qū)動(dòng)器溫度感應(yīng)、PWM 柵極信號(hào)監(jiān)控和故障信號(hào)注入診斷。該電源可接受 4.5V 至 65V 直流的寬輸入范圍，可提供高達(dá) 180mA 的輸出電流。該隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá) ±10A 的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，還包含一個(gè)用于溫度和電壓感應(yīng)的模擬至 PWM 轉(zhuǎn)換器。
設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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