產品詳情

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (REU) 8 6 mm2 3 x 2
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數據速率
  • 穩健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數據速率
  • 穩健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數據總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設計和布局布線技術， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統級 ESD 問題并符合輻射標準。

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數據總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設計和布局布線技術， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統級 ESD 問題并符合輻射標準。
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* 數據表 ISO652x 通用雙通道功能隔離器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 10月 15日
白皮書 通過系統設計中的功能隔離減小解決方案尺寸并降低 BOM 成 本 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 8月 23日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

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評估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數字信號的雙通道功能隔離器評估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來測試各種常見應用。此 EVM 還具有多個測試點，支持使用較少的外部元件來評估相應器件。

用戶指南: PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian

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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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