產品詳情

Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 36 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 42 Sleep current (μA) 5 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Open-Load Detection Topology Integrated FET Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 36 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 42 Sleep current (μA) 5 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Open-Load Detection Topology Integrated FET Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN-HR (VAK) 15 21 mm2 3.5 x 6

  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 以功能安全合規型為目標

    • 提供協助功能安全系統設計的文件
  • 4.5V 至 65V(最大絕對值為 70V)工作電壓范圍
  • DRV8163-Q1MOSFET 導通電阻 (HS + LS):43mΩ
  • 最大輸出電流 = 40A
  • 2 個接口選項 - HW 或 SPI
  • PWM 工作頻率高達 100kHz,具有自動死區時間斷言
  • 可配置壓擺率和適用于低電磁干擾 (EMI) 的展頻時鐘
  • 集成電流檢測(無需使用分流電阻器)
  • IPROPI 引腳上的比例負載電流輸出
  • IPROPI 引腳上的內核溫度監測(僅限 SPI)

  • 可配置的電流調節
  • 具有可配置故障反應(鎖存或重試)的保護和診斷性能
    • 在斷開狀態和導通狀態下進行負載診斷,以檢測開路負載和短路
    • 電源 (VM) 上的電壓監控
    • 過流保護
    • 過熱警告(僅限 SPI)

    • 過熱保護
    • nFAULT 引腳上的故障指示
  • 支持 1.8V、3.3V、5V 邏輯輸入
  • 低睡眠電流:25°C 下的典型值為 7μA
  • 器件系列比較表

  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 以功能安全合規型為目標

    • 提供協助功能安全系統設計的文件
  • 4.5V 至 65V(最大絕對值為 70V)工作電壓范圍
  • DRV8163-Q1MOSFET 導通電阻 (HS + LS):43mΩ
  • 最大輸出電流 = 40A
  • 2 個接口選項 - HW 或 SPI
  • PWM 工作頻率高達 100kHz,具有自動死區時間斷言
  • 可配置壓擺率和適用于低電磁干擾 (EMI) 的展頻時鐘
  • 集成電流檢測(無需使用分流電阻器)
  • IPROPI 引腳上的比例負載電流輸出
  • IPROPI 引腳上的內核溫度監測(僅限 SPI)

  • 可配置的電流調節
  • 具有可配置故障反應(鎖存或重試)的保護和診斷性能
    • 在斷開狀態和導通狀態下進行負載診斷,以檢測開路負載和短路
    • 電源 (VM) 上的電壓監控
    • 過流保護
    • 過熱警告(僅限 SPI)

    • 過熱保護
    • nFAULT 引腳上的故障指示
  • 支持 1.8V、3.3V、5V 邏輯輸入
  • 低睡眠電流:25°C 下的典型值為 7μA
  • 器件系列比較表

DRV8163-Q1 是一款適用于 24V 和 48V 汽車應用的寬電壓、高功率、全集成半橋驅動器。該功率封裝器件采用 BiCMOS 大功率工藝技術節點設計,提供了出色的電源處理能力和熱性能,不僅封裝尺寸小巧、易于布局,還可提供 EMI 控制、精確電流檢測和診斷功能,穩健性較高。

器件集成了 N 溝道半橋、、電荷泵、高側電流檢測和調節、電流比例輸出以及保護電路。集成檢測采用電流鏡設計,無需分流電阻器,可節省電路板面積并降低系統成本。還提供了一種低功耗睡眠模式,以實現較低靜態電流。

器件提供電壓監測、負載診斷、過流和過熱保護功能。故障情況通過 nFAULT 引腳指示。該器件提供兩種型號:HW 接口和 SPI。SPI 型號可實現更加靈活的器件配置和故障監測。

DRV8163-Q1 是一款適用于 24V 和 48V 汽車應用的寬電壓、高功率、全集成半橋驅動器。該功率封裝器件采用 BiCMOS 大功率工藝技術節點設計,提供了出色的電源處理能力和熱性能,不僅封裝尺寸小巧、易于布局,還可提供 EMI 控制、精確電流檢測和診斷功能,穩健性較高。

器件集成了 N 溝道半橋、、電荷泵、高側電流檢測和調節、電流比例輸出以及保護電路。集成檢測采用電流鏡設計,無需分流電阻器,可節省電路板面積并降低系統成本。還提供了一種低功耗睡眠模式,以實現較低靜態電流。

器件提供電壓監測、負載診斷、過流和過熱保護功能。故障情況通過 nFAULT 引腳指示。該器件提供兩種型號:HW 接口和 SPI。SPI 型號可實現更加靈活的器件配置和故障監測。

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技術文檔

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白皮書 軟體定義車輛將汽車電子的未來推入正軌 (Rev. B) PDF | HTML 2025年 1月 29日
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白皮書 ??? ????? ??? ??? ????? ?? ?? (Rev. B) PDF | HTML 2025年 1月 29日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

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評估板

DRV8163H-Q1EVM — DRV8163-Q1 適用于硬件型號的評估模塊

DRV8163H-Q1 評估模塊 (EVM) 展示了 DRV8163H HotRod? 封裝的特性和性能。DRV8163H-Q1 采用完全集成的半橋驅動器,適用于多種汽車應用。H 橋驅動器非常適合工作電壓為 4.5V 至 65V 且最大輸出電流為 36A 的高電流應用。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.E): PDF | HTML
TI.com 上無現貨
評估板

DRV8163S-Q1EVM — 適用于 SPI 型號的 DRV8163-Q1 評估模塊

DRV8163H-Q1 評估模塊 (EVM) 展示了 DRV8163H HotRod? 封裝的特性和性能。DRV8163H-Q1 采用完全集成的半橋驅動器,適用于多種汽車應用。H 橋驅動器非常適合工作電壓為 4.5V 至 65V 且最大輸出電流為 36A 的高電流應用。
用戶指南: PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN-HR (VAK) 15 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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