DAC121S101-SEP
- 輻射耐受性:
- 電離輻射總劑量 (TID): 30krad (Si)
- 單粒子閂鎖 (SEL):43MeV-cm2/mg
- 單粒子功能中斷 (SEFI) 標準:43MeV-cm2/mg
- 增強型航天塑料(航天 EP):
- 根據(jù) ASTM E595 進行了釋氣測試
- 供應(yīng)商項目圖 (VID) V62/24641
- 支持國防和航空航天應(yīng)用溫度范圍:-55°C 至 +125°C
- 受控基線
- 一個封裝測試廠
- 一個制造基地
- 延長了產(chǎn)品生命周期
- 產(chǎn)品可追溯性
- 指定的單調(diào)性
- 低功耗運行
- 軌到軌電壓輸出
- 上電復(fù)位至零量程輸出
- 寬電源電壓范圍:2.7V 至 5.5V
- 小型封裝:
- 8 引腳 VSSOP (3 mm × 3 mm)
- 關(guān)斷特性
- 主要規(guī)格:
- 12 位分辨率
- DNL:?0.15LSB、+0.35LSB(典型值)
- 輸出建立時間:12μs(典型值)
- 零代碼誤差:4mV(典型值)
- ?0.07% FSR 時的滿量程誤差(典型值)
DAC121S101-SEP 器件是一款全功能通用 12 位電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC),可在 2.7V 至 5.5V 的單電源下運行,在 3.6V 時僅消耗 177µA(典型值)電流。片上輸出放大器支持軌到軌輸出擺幅,三線制串行接口能夠在指定的電源電壓范圍內(nèi)以高達 30MHz 的時鐘速率運行,并且與標準 SPI、QSPI、MICROWIRE 和 DSP 接口兼容。
電源電壓用作 DAC121S101-SEP 的電壓基準,為其提供了盡可能寬的輸出動態(tài)范圍。上電復(fù)位電路會在器件收到有效寫入指令之前,將 DAC 輸出上電至零伏。斷電功能可將器件功耗降至 1 微瓦(典型值)以下。
技術(shù)文檔
| 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | DAC121S101-SEP 12 位微功耗、RRO 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 8月 12日 |
| * | 輻射與可靠性報告 | DAC121S101-SEP Single-Event Latch-Up (SEL) Radiation Report | PDF | HTML | 2024年 12月 13日 | ||
| * | 輻射與可靠性報告 | DAC121S101-SEP Radiation Tolerant, CMOS, 12-Bit Digital to Analog Converter (DAC) TID Report | PDF | HTML | 2024年 12月 12日 | ||
| * | 輻射與可靠性報告 | DAC121S101-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2024年 12月 11日 | ||
| 應(yīng)用簡報 | 航天級 12A 激光二極管驅(qū)動器 | PDF | HTML | 2026年 3月 5日 | |||
| 應(yīng)用手冊 | 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) | 2008年 10月 16日 | ||||
| 應(yīng)用手冊 | 高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 | 英語版 | 2008年 10月 16日 |
設(shè)計與開發(fā)
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DAC121S101SEPEVM — DAC121S101-SEP 評估模塊
DAC121S101-SEP 評估模塊 (EVM) 是一個易于使用的平臺,用于評估 DAC121S101-SEP 產(chǎn)品的功能和性能。EVM 具有可選電路和跳線,可針對不同的應(yīng)用配置器件。
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需要 HSpice (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
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| VSSOP (DGK) | 8 | Ultra Librarian |
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