系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)

SiC FET 的開關(guān)速度比 IGBT 快，這是因?yàn)樵?SiC 關(guān)斷期間沒有尾電流。但是，這種尾電流可在關(guān)斷期間抑制振鈴，這實(shí)際上是 IGBT 的一個(gè)優(yōu)勢(shì)（尤其是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中），因?yàn)槿魏握`導(dǎo)通和由此產(chǎn)生的過沖都可能損壞系統(tǒng)。基于 SiC 的應(yīng)用面臨的系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)是如何通過柵極電阻或緩沖器控制振鈴。

開關(guān)速度越快，則磁性元件和電容濾波器尺寸越小，從而減小系統(tǒng)尺寸和降低成本。如前所述，鑒于高熱導(dǎo)率，系統(tǒng)還應(yīng)該降低冷卻需求。

一些系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商仍然認(rèn)為，減小系統(tǒng)尺寸和降低成本不足以抵消 SiC 所帶來的高元件成本。基于 SiC 的系統(tǒng)開發(fā)仍處于早期階段，因此目前成本會(huì)很高。然而，隨著市場(chǎng)的廣泛推廣，實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)后，SiC 成本自然會(huì)下降，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)成本效益。