大功率半導體選型現狀

以前，硅基功率半導體開關一直是并且仍然是大功率應用設計人員的主要選擇，他們通常根據電壓和功率等級進行選型。圖 1 根據高壓應用的電壓要求，展示了兩種常用的硅基功率半導體：金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。

總線電壓需高于 400V 的應用（例如 EV、電機驅動器和串式逆變器 [2]、[3]）需要具備 650V 以上電壓等級的功率半導體開關。此外，此類應用是幾千瓦到 1MW 的高功率解決方案。

目前，您可將 IGBT 用作最高 1,200V 的電力電子開關管。一些應用的電壓甚至越來越高，其中電流等級和傳導損耗會降低。其中一些應用的電壓為 1,200V 至 1,700V，例如多相電機驅動器。