ZHCUDF4A September 2025 – November 2025 UCC35131-Q1
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| ENA | 1 | I |
使能引腳。強制 ENA 為低電平會禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。可用于通過來自 VIN 的電阻分壓器對輸入 UVLO 進行編程。 |
| PG(PG) | 2 | O | 電源正常開漏輸出引腳。當 VVIN_UVLOP ≤ VVIN ≤ VVIN_OVLOP、VVDD_UVP ≤ VFBVDD ≤ VVDD_OVP、VVEE_UVP ≤ VFBVEE ≤ VVEE_OVP、TJ_Primary ≤ TSHUT_P_R 以及 TJ_secondary ≤ TSHUT_S_R 時，保持有效狀態(tài)。連接一個 0402 封裝尺寸的去耦電容器以旁路高頻噪聲。它必須位于電源正常引腳旁邊，且與 IC 位于 PCB 的同一側(cè)。 |
| VIN | 3.4 | P | 初級輸入電壓。在 VIN 到 GNDP 之間連接一個 10μF 和一個并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器用于繞過高頻噪聲，必須靠近 VIN 和 GNDP 引腳 |
| GNDP | 5、6、7、8 | G | VIN 的初級側(cè)接地連接。在覆銅上放置幾個過孔以進行散熱。有關(guān)更多詳細信息，請參閱 PCB 布局示例。 |
| COMA | 9 | G | 用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級側(cè)模擬檢測基準連接。將低側(cè) FBVDD 反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 COMA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD。連接到次級側(cè)柵極驅(qū)動電壓基準 COM。使用單點連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 COMA 引腳放置。 |
| COM | 10、11 | G | 次級接地。連接到電源開關(guān)的源極。 |
| VDD | 12 | P | 來自變壓器的次級側(cè)隔離式輸出電壓。在 VDD 到 COM 之間連接一個 10μF 和一個并聯(lián) 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器用于繞過高頻噪聲，必須靠近 VDD 和 COM 引腳。 |
| BSW | 13 | P | 內(nèi)部降壓/升壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)管腳。在該點與 COM 之間連接一個電感器。建議使用 3.3μH 至 10μH 片式電感器。 |
| VEE | 14 | P | 負電源軌的次級側(cè)隔離式輸出電壓。在 VEE 和 COM 之間連接一個 2.2μF 陶瓷電容，以繞過高頻開關(guān)噪聲。 |
| FBVDD | 15 | I | 反饋 (VDD – COM) 輸出電壓檢測引腳用于調(diào)整輸出 (VDD – COM) 電壓。在 VDD 至 COM 之間連接一個電阻分壓器，以使中點連接到 FBVDD。通過跨隔離的內(nèi)部遲滯控制，將等效 FBVDD 電壓調(diào)節(jié)為 2.5V。需要添加一個 470pF 陶瓷電容器，與低側(cè)反饋電阻器并聯(lián)實現(xiàn)高頻去耦。用于高頻旁路的 470pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVDD 和 COMA 引腳。 |
| FBVEE | 16 | I | 反饋 (COM – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調(diào)整輸出 (COM – VEE) 電壓。將一個反饋電阻器連接至 VEE 以在 2V 和 8V 之間對 (COM – VEE) 電壓進行編程。在 FBVEE 和 COMA 之間連接一個 10pF 陶瓷電容，以繞過高頻開關(guān)噪聲。10pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVEE 引腳。 |