ZHCUCZ9 April 2025 UCC34141-Q1
1.4 器件信息
圖 1-1 UCC34141-Q1 DHA 封裝 16 引腳 SSOP（頂視圖）表 1-3 引腳功能
| 引腳 | 類型 (1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| ENA | 1 |
I |
使能引腳。強制 ENA 為低電平會禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。可用于通過來自 VIN 的電阻分壓器對輸入 UVLO 進行編程。 |
| /PG | 2 | O | 低電平有效電源正常開漏輸出引腳。在以下情況下，PG 保持低電平： VVIN_UVLOP ≤ VVIN ≤ VVIN_UVLOP； VVDD_UVP ≤ VFBVDD ≤ VVDD_OVP； VVEE_UVP ≤ VFBVEE ≤ VVEE_OVP； TJ_Primary ≤ TSHUT_P_R 和 TJ_secondary ≤ TSHUT_S_R。 |
| VIN | 3、4 | P |
初級輸入電壓。在 VIN 到 GNDP 之間連接一個 10μF 和一個并聯 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器用于繞過高頻噪聲，并且和 IC 一樣必須緊挨著 PCB 同一側的 VIN 和 GNDP 引腳。 |
| GNDP | 5、6、7、8 | G | VIN 的初級側接地連接。在覆銅上放置幾個過孔以進行散熱。 |
| COMA | 9 | G |
用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級側模擬檢測基準連接。將低側 FBVDD 反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 COMA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD。連接到次級側柵極驅動電壓基準 COM。使用單點連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 COMA 引腳放置。 |
|
COM |
10、11 | G | 次級接地。連接到電源開關的源極。 |
| VDD | 12 | P | 來自變壓器的次級側隔離式輸出電壓。在 VDD 到 COM 之間連接一個 10μF 和一個并聯 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器用于繞過高頻噪聲，必須靠近 VDD 和 COM 引腳。 |
| BSW | 13 | P | 內部降壓/升壓轉換器開關管腳。在該引腳與 COM 之間連接一個電感器。建議使用 3.3μH 至 10μH 片式電感器。 |
| VEE | 14 | P | 負電源軌的次級側隔離式輸出電壓。在 VEE 和 COM 之間連接一個 2.2μF 陶瓷電容，以繞過高頻開關噪聲。 |
| FBVDD | 15 | I | 反饋 (VDD – COM) 輸出電壓檢測引腳用于調整輸出 (VDD – COM) 電壓。在 VDD 至 COMA 之間連接一個電阻分壓器，以使中點連接到 FBVDD。通過跨隔離的內部遲滯控制，將等效 FBVDD 電壓調節為 2.5V。需要添加一個 220pF 陶瓷電容器，與低側反饋電阻器并聯實現高頻去耦。用于高頻旁路的 220pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVDD 和 COMA 引腳。 |
| FBVEE | 16 | I | 反饋 (COM – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調整輸出 (COM – VEE) 電壓。將一個反饋電阻器（40kΩ 至 160kΩ）連接至 VEE 以在 2V 和 8V 之間對 (COM – VEE) 電壓進行編程。通過內部遲滯控制，將等效 FBVEE 電壓調節為接近 0V。在 FBVEE 和 COMA 之間連接一個 10pF 陶瓷電容，以繞過高頻開關噪聲。10pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVEE 引腳。 |
(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出